Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Las autoridades chinas han informado a la Comisión de que no se han producido cambios en el régimen de importación.

Manufacturer from China
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CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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Número de modelo :El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :SRAM
Tecnología :SRAM - Síncrono, SDR
Tamaño de la memoria :36Mbit
Organización de la memoria :512K x 72
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :167 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-
Tiempo de acceso :3,4 ns
Voltagem - Suministro :3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :209-BGA
Paquete de dispositivos del proveedor :209-FBGA (14x22)
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Detalles del producto

Descripción funcional

Las SRAM sincronizadas sin conducto con no Bus LatencyTM (NoBLTM), respectivamente, son 3,3 V, 1M x 36/2M x 18/512K x 72 SRAM sincronizadas sin conducto.Están diseñados para soportar operaciones de lectura/escritura sin límites sin estados de esperaLos CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33 están equipados con la lógica avanzada (NoBL) necesaria para permitir operaciones consecutivas de lectura/escritura con datos que se transfieren en cada ciclo de reloj.Esta característica mejora drásticamente el rendimiento de los datos en sistemas que requieren frecuentes transiciones de escritura / lecturaLos CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33 son compatibles con pines y son funcionalmente equivalentes a los dispositivos ZBT.

Características

• Compatible con pines y funcionalmente equivalente a ZBTTM
• Soporta operaciones de bus de 250 MHz con estados de espera cero
Los grados de velocidad disponibles son 250, 200 y 167 MHz
• Control del búfer de salida automático de tiempo interno para eliminar la necesidad de utilizar OE asíncrono
• Registro completo (ingresos y salidas) para el funcionamiento de tuberías
• Capacidad de escritura de bytes
• Fuente de alimentación de 3,3 V
• Fuente de alimentación de entrada y salida de 3.3V/2.5V
• Tiempos rápidos de reloj a salida
¢ 2,6 ns (para el dispositivo de 250 MHz)
• Pín de activar el reloj (CEN) para suspender la operación
• Escrituras sincronizadas con tiempo automático
• CY7C1460AV33, CY7C1462AV33 disponible en el
TQFP de 100 pines sin plomo de la norma JEDEC, sin plomo y
envase FBGA de 165 bolas sin plomo.
disponible en FBGA de 209 bolas sin plomo y sin plomo
paquete
• Escaneo de límites compatible con el IEEE 1149.1 JTAG
• Capacidad de explosión  Orden de explosión lineal o entrelazado
• Opción de modo de reposo y opción de tiempo de espera

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 209-BGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3.135 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor 209-FBGA (14x22)
Capacidad de memoria 36M (512K x 72)
Tipo de memoria El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad 167 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 36 Mb (512K x 72) paralelo a 167MHz 3.4ns 209-FBGA (14x22)
Carro de la investigación 0