Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete	Las partidas siguientes se aplicarán:
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.283 V ~ 1.45 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio y sus componentes
Capacidad de memoria	2G (256M x 8)
Tipo de memoria	DDR3L SDRAM
Velocidad	800 MHz
Formatos de memoria	Memoria RAM
El Sr.	Tecnología de Micron Inc.
Paquete	Envases
Estado del producto	Actividad
Tipo de memoria	Las sustancias
Formato de memoria	Dispositivos de almacenamiento
Tecnología	La memoria SDRAM es DDR3L.
Tamaño de la memoria	2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria	En paralelo
Frecuencia del reloj	800 MHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página	-
Tiempo de acceso	13,75 ns
Fuente de suministro de tensión	Las partidas de los componentes de las máquinas de la serie A
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Cuadro de paquete	Las partidas siguientes se aplicarán:
Número del producto de base	MT4M4M4M4M4

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
H5TQ2G83CFR-H9C Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M Memoria	DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, libre de plomo, FBGA-78	Tecnología de Micron Inc	En el caso de las empresas que no cumplen los requisitos de la Directiva 2014/65/UE, las empresas que no cumplen los requisitos de la Directiva 2014/65/UE deben tener acceso a la información facilitada por la Directiva 2014/65/UE.
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
H5TC2G83CFR-PBA Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con la normativa ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, libre de plomo, FBGA-78	Tecnología de Micron Inc	En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, las empresas de servicios de telecomunicaciones deben tener en cuenta los siguientes elementos:
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de altura, libre de plomo, FBGA-78	Tecnología de Micron Inc	El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
H5TQ2G83DFR-RDC Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83DFR-RDC
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT420M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
H5TQ2G83DFR-PBC Memoria	DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, libre de halógenos y compatible con el sistema ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K frente a H5TQ2G83DFR-PBC

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3L 2Gb (256M x 8) paralelo a 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)

Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78 pin FBGA

Carro de la investigación 0