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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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China MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido. wholesale

MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

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Número de modelo :MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :COPITA

Tamaño de la memoria :288Mbit

Organización de la memoria :16M x 18

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :400 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :20 ns

Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :144-TFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de los equipos

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Detalles del producto

Descripción general

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. La RLDRAM no requiere multiplexación de direcciones de fila/columna y está optimizada para un acceso aleatorio rápido y un ancho de banda de alta velocidad.
La RLDRAM está diseñada para almacenamiento de datos de comunicación como buffers de transmisión o recepción en sistemas de telecomunicaciones, así como aplicaciones de caché de datos o instrucciones que requieren grandes cantidades de memoria.

Características

• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ de entrada y salida
• Dirección de banco cíclica para el ancho de banda máximo de salida de datos
• Direcciones no multiplexadas
• Explosión secuencial no interruptible de dos (2 bits)
prefetch) y cuatro (4-bit prefetch) DDR
• Objetivo de velocidad de datos de 600 Mbps
• Latencia de lectura programable (RL) de 5 a 8
• Se activa la señal válida de datos (DVLD) cuando los datos de lectura están disponibles
• Las señales de la máscara de datos (DM0/DM1) se enmascaran primero y
segunda parte de la explosión de datos de escritura
• Escaneo de límites JTAG conforme a la norma IEEE 1149.1
• Seudo-HSTL 1.8V de alimentación de entrada y salida
• Precarga automática interna
• Requisitos de actualización: 32 ms a 100 °C
temperatura (8K para cada banco, 64K para el resto)
La orden debe emitirse en total cada 32 ms)

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete	El contenido de nitrógeno en el aceite de oliva
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor	Unidad de control de las emisiones de CO2
Capacidad de memoria	288M (16M x 18)
Tipo de memoria	RLDRAM 2
Velocidad	2.5ns
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

Memoria DRAM IC 288Mb (16M x 18) paralela a 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)

Carro de la investigación 0