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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.

Categorías de Producto

Circuito integrado IC

 [17]

Módulo del RF IC

 [34]

Gestión ICs del poder

 [787]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [523]

Circuito integrado de FPGA

 [11]

Sensor del circuito integrado

 [15]

Circuitos integrados del interfaz

 [17]

Aislador opto de Digitaces

 [6]

IC de memoria flash

 [362]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

 [6]

Chip CI del amplificador

 [185]

Sincronización IC del reloj

 [6]

IC de adquisición de datos

 [7]
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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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China AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc. wholesale
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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.
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Número de modelo :El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :COPITA
Tecnología :SDRAM-DDR
Tamaño de la memoria :512Mbit
Organización de la memoria :los 32M x 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :200 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns
Tiempo de acceso :700 picosegundos
Voltagem - Suministro :2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Paquete de dispositivos del proveedor :Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 66-TSSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad de memoria 512M (32M x 16)
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad 200 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM
Carro de la investigación 0

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