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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alianza de Memorias, Inc.

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Número de modelo :Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguiente

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Asincrónico

Tamaño de la memoria :4Mbit

Organización de la memoria :256K × 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :10ns

Tiempo de acceso :10 ns

Voltagem - Suministro :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :44-SOJ

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Detalles del producto

Descripción funcional

El AS7C34098A es un CMOS de alto rendimiento 4,194Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) de 304 bits organizado como 262.144 palabras × 16 bits. Está diseñado para aplicaciones de memoria donde se desea un acceso rápido a datos, bajo consumo de energía y una interfaz simple.
Los tiempos de acceso y ciclo de direcciones iguales (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20 ns con tiempos de acceso habilitados de salida (tOE) de 4/5/6/7 ns son ideales para aplicaciones de alto rendimiento.El chip permite la entrada de CE permite una fácil expansión de la memoria con sistemas de memoria de bancos múltiples.

Características

• Pin compatible con el AS7C34098
• Temperatura industrial y comercial
• Organización: 262.144 palabras × 16 bits
• Energía central y pines de tierra
• Alta velocidad
- 10/12/15/20 ns tiempo de acceso a la dirección
- 4/5/6/7 ns de salida permitir el tiempo de acceso
• Bajo consumo de energía: ACTIVO
- 650 mW /máx @ 10 ns
• Bajo consumo de energía: STANDBY
- 28,8 mW / máximo CMOS
• Controles de lectura/escritura de bytes individuales
• Fácil expansión de la memoria con entradas CE, OE
• compatibles con TTL y CMOS, E/S de tres estados
• Paquetes estándar JEDEC de 44 pines
- 400 millas de SOJ
- El TSOP 2
• Protección ESD ≥ 2000 voltios
• Corriente de cierre ≥ 200 mA

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete	44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor	44-SOJ
Capacidad de memoria	4M (256K x 16)
Tipo de memoria	La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad	10 días
Formatos de memoria	Memoria RAM

Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44 también se puede utilizar.	Solución Integrada de Silicio Inc.	El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
El número de unidades de producción será el siguiente: Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, plástico, MS-027, SOJ-44	Solución Integrada de Silicio Inc.	El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: Memoria	256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 10,16 MM, libre de plomo, SOJ-44 y con una capacidad de carga de más de 100 kg.	Rochester Electronic LLC, también conocido como	Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de seguridad de los Estados miembros.
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de los sistemas de seguridad de los sistemas Memoria	Se trata de una serie de dispositivos que se encuentran en el interior de una unidad de almacenamiento.	Rochester Electronic LLC, también conocido como	Las condiciones de las pruebas de ensayo se determinarán en función de los resultados de las pruebas de ensayo.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44	El ciprés semiconductor	Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de seguridad de los vehículos.
Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44	Alianza de la memoria Inc.	Las medidas de seguridad se aplicarán a las instalaciones de seguridad de los Estados miembros, incluidas las instalaciones de seguridad de los Estados miembros.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes: Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44	Alianza de la memoria Inc.	Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves que no estén equipadas con un sistema de seguridad de alta velocidad.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44	El ciprés semiconductor	Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de los Estados miembros.

Descripciones

SRAM - Memoria IC asíncrona de 4 Mb (256 K x 16) paralela a 10 ns 44-SOJ

La RAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM también se puede utilizar.

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