Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electrónica

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electrónica

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Número de modelo :Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del anexo II.
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :COPITA
Tecnología :SDRAM - LPDDR2 móvil
Tamaño de la memoria :512Mbit
Organización de la memoria :el 16M x 32
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :400 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns
Tiempo de acceso :-
Voltagem - Suministro :1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :Se aplicará el procedimiento siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor :El número de unidad de control de velocidad es el siguiente:
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Detalles del producto

Descripción general

El W9712G6JB es una memoria DDR2 SDRAM de 128M bits, organizada en 2,097,152 palabras ×4 bancos ×16 bits. Este dispositivo logra velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicaciones generales. W9712G6JB se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -18, -25,25IEl -18 cumple con la especificación DDR2-1066 (7-7-7).El -25/25I/25A son compatibles con la especificación DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) (el grado industrial de 25I y el grado automotriz de 25A que está garantizado para soportar -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)El -3 es compatible con la especificación DDR2-667 (5-5-5).

Características

El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
La latencia del CAS: 3, 4, 5, 6 y 7
Duración del estallido: 4 y 8
Se transmiten/reciben datos con estroboscópios bidireccionales de datos diferenciales (DQS y DQS)
Alineación de borde con datos de lectura y alineación de centro con datos de escritura
DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
Entradas de reloj diferencial (CLK y CLK)
Máscaras de datos (DM) para escribir datos.
Los comandos introducidos en cada borde positivo de CLK, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de DQS
Se admite la latencia aditiva programable de CAS publicada para aumentar la eficiencia del bus de comandos y datos
La latencia de lectura es la latencia aditiva más la latencia CAS (RL = AL + CL)
Ajuste de impedancia fuera del chip-conductor (OCD) y terminación en la matriz (ODT) para una mejor calidad de la señal
Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
Modo de actualización automática y auto actualización
Desactivación de energía precargada y desactivación de energía activa
Escribir máscara de datos
Escribe latencia = Leer latencia - 1 (WL = RL - 1)
Interfaz: SSTL_18
Embalado en una bola WBGA 84 (8X12,5 mm)2), utilizando materiales libres de plomo y compatibles con la Directiva RoHS

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.14 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de control de velocidad es el siguiente:
Capacidad de memoria 512M (16M x 32)
Tipo de memoria RAM SDRAM LPDDR2 para dispositivos móviles
Velocidad 400 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR2 móvil de 512 Mb (16M x 32) paralelo a 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM de alta velocidad, velocidad de reloj hasta 533 MHz, cuatro bancos internos
Carro de la investigación 0