Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[523]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALÉL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Preguntar último precio

Número de modelo :CYD09S36V18-200BBXI y el resto de los componentes

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Puerto doble, sincrónico

Tamaño de la memoria :9Mbit

Organización de la memoria :256K x 36

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :200 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :3,3 ns

Voltagem - Suministro :1Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las emisiones de gases d

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :256-LBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :256-FBGA (17x17)

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

Resistencias de precisión con plomo axial

La gama Holco de resistencias de película metálica de precisión cumple con el requisito de componentes a precios económicos para aplicaciones industriales y militares.Las instalaciones de fabricación utilizan procesos de producción estrictamente controlados, incluido el recubrimiento con pulverización de películas de aleación de metal sobre sustratos cerámicos.Se aplica un revestimiento epoxi para la protección ambiental y mecánica.Comercialmente la serie está disponible en dos tamaños de estuche, de 1 ohm a 4M ohms, tolerancias de 0,05% a 1% y TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Ofrecido con liberación a la BS CECC 40101 004, 030 y 804, el H8 está disponible a través de la distribución.

Características clave

■ Ultraprecisión - Bajo el 0,05%
■ Los conjuntos disponibles para el ensamblaje de 2 ppm/°C
■ Resiste el pulso alto
■ Baja reactividad
■ TCR bajo - hasta 5 ppm/°C
■ Estabilidad a largo plazo
■ Hasta 1 Watt a 70°C
■ Publicado en CECC 40101 004, 030 y 804

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ciprés semiconductor
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	CYD09S36V18
El tipo	Sincronizado
Embalaje	Envases
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	256-LBGA
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero
Envase del producto del proveedor	Se trata de un sistema de control de velocidad de alta velocidad.
Capacidad de memoria	9M (256K x 36)
Tipo de memoria	SRAM - Puerto doble, sincrónico
Velocidad	200 MHz
Tasa de datos	DEG
Tiempo de acceso	3.3 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento	- 40 ° C.
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	256 k x 36
Alimentación de corriente máxima	670 mA
Válvula de alimentación	1.9 V
Válvula de alimentación	1.7 V
Cuadro de paquete	Las demás:
Frecuencia máxima del reloj	200 MHz

Descripciones

SRAM - Puerto doble, IC de memoria síncrona 9Mb (256K x 36) paralelo a 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)

SRAM Chip Sync Dual 1.8V 9M-Bit 256K x 36 9ns/5ns 256-Pin FBGA Tray

SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz Sincronizada con SRAM

Carro de la investigación 0