Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Manufacturer from China
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3 Años
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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Tecnología de micrófono Inc.

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Tecnología de micrófono Inc.

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Número de modelo :MT47H128M16RT-25E: C TR
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :COPITA
Tecnología :SDRAM-DDR2
Tamaño de la memoria :2Gbit
Organización de la memoria :el 128M x 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :400 MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns
Tiempo de acceso :400 picosegundos
Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :84-TFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :84-FBGA (9x12.5)
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Detalles del producto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paqueteLas demás:
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 85 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán tener una longitud de longitud igual o superior a 20 mm.
Capacidad de memoria2G (128M x 16)
Tipo de memoriaDDR2 SDRAM
Velocidad2.5ns
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 2Gb (128M x 16) paralelo 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
Carro de la investigación 0