Descripción general
El W29C040 es una memoria flash de 4 megabits y 5 voltios de modo CMOS organizada como 512K ́8 bits.No se requiere un VPP de 12 voltios.La arquitectura única de la célula del W29C040 da como resultado operaciones de escritura (borrado/programa) rápidas con un consumo de corriente extremadamente bajo (en comparación con otros productos de memoria flash de 5 voltios comparables).) El dispositivo también se puede borrar y programar mediante programas EPROM estándar.
Características
· Operaciones únicas de escritura (borrado y programación) de 5 voltios
· Operaciones de escritura de páginas rápidas
- 256 bytes por página
- Ciclo de escritura de páginas (borrado/programa): 5 ms (típico)
- Tiempo de ciclo efectivo de byte-escritura (borrado/programa): 19,5 ms
- Opcional de escritura de datos protegidos por software
· Operación de borrado rápido de chips: 50 ms
· Dos bloques de arranque de 16 KB con bloqueo
· Ciclos de escritura de páginas (borrado/programa): 50K (típico)
· Tiempo de acceso de lectura: 70/90/120 nS
· Retención de los datos durante diez años
· Protección de datos de software y hardware
· Bajo consumo energético
- Corriente activa: 25 mA (tipo)
- Corriente de espera: 20 mA (típico)
·Tiempo de escritura (borrado/programa) automático con generación interna de VPP
· Detección del final de la escritura (borrado/programa)
- Un poco de cambio
- Encuestas de datos
· Dirección y datos bloqueados
· Todas las entradas y salidas son directamente compatibles con TTL
· Pinouts de ancho de byte estándar de JEDEC
· Paquetes disponibles: DIP de 32 pines y 600 mil, TSOP y PLCC
