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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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China AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas. wholesale

AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas.

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Número de modelo :Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguiente

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM-DDR

Tamaño de la memoria :256Mbit

Organización de la memoria :el 16M x 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :200 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns

Tiempo de acceso :700 picosegundos

Voltagem - Suministro :2.3V ~ 2.7V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :60-TFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :60-TFBGA (8x13)

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Detalles del producto

Características

• Organizaciones: 1,048,576 palabras × 4 bits
• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 10/13/15/18 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 385 mW máximo (-60)
- En espera: 5,5 mW máximo, CMOS I/O
• Modo de página rápida (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 16 ms
- Actualización solo de RAS o de CAS antes de RAS
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 300 mil, 20/26 pines de SOJ
- 300 millas, 20/26 pines de TSOP
• Fuente de alimentación única de 5 V
• Protección ESD ≥ 2001V
• Corriente de cierre ≥ 200 mA

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deberán ser realizadas en el lugar de trabajo.
El tipo	DDR1
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de la caja de carga de los equipos de carga de los equipos de carga de los equipos de carga
Capacidad de memoria	256M (16M x 16)
Tipo de memoria	DDR SDRAM
Velocidad	200 MHz
Tiempo de acceso	0.7 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento	0 C
Organizaciones	16 M x 16
Alimentación de corriente máxima	135 mA
Ancho del bus de datos	16 bits
Válvula de alimentación	2.7 V
Válvula de alimentación	2.3 V
Cuadro de paquete	Se aplicará a las máquinas de la categoría M3
Frecuencia máxima del reloj	200 MHz

Descripciones

SDRAM - Memoria DDR IC de 256 Mb (16M x 16) paralela a 200 MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)

La memoria DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1

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