Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[523]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon

Preguntar último precio

Número de modelo :CY62146EV30LL-45ZSXI

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Asincrónico

Tamaño de la memoria :4Mbit

Organización de la memoria :256K × 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :45ns

Tiempo de acceso :45 ns

Voltagem - Suministro :2.2V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :44-TSOP II

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

Descripción funcional

El CY62146EV30 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 256K palabras por 16 bits.La corriente activa ultrabaja es ideal para proporcionar más duración de la bateríaTM (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celularesEl dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía en un 80 por ciento cuando las direcciones no están cambiando.

Características

■ Velocidad muy alta: 45 ns
■ Rango de temperaturas
- Industriales: de 40°C a +85°C
- Automotriz-A: -40°C a +85°C
■ Amplio rango de tensión: 2,20 V 3,60 V
■ Pin compatible con el CY62146DV30
■ Potencia de espera muy baja
¢ Corriente de espera típica: 1 μA
¢ Corriente máxima de espera: 7 μA
■ Potencia activa muy baja
¢ Corriente activa típica: 2 mA a f = 1 MHz
■ Fácil expansión de la memoria con características CE y OE
■ Apagado automático cuando se deselecta
■ CMOS para una velocidad y potencia óptimas
■ Disponible en paquetes VFBGA de 48 bolas y TSOP II de 44 pines sin Pb

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ciprés semiconductor
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	MoBL®
El tipo	Asíncrono
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Estilo de montaje	DSM/SMT
Nombre comercial	MoBL
Cuadro de paquete	44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.2 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	44-TSOP II
Capacidad de memoria	4M (256K x 16)
Tipo de memoria	La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad	45 años
Tasa de datos	DEG
Tiempo de acceso	45 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento	- 40 ° C.
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	256 k x 16
Alimentación de corriente máxima	20 mA
Válvula de alimentación	3.6 V
Válvula de alimentación	2.2 V
Cuadro de paquete	El TSOP-44

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. Memoria	La memoria RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 también se utiliza para las memorias de memoria.	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B. Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor. Memoria	La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

Chip de SRAM sincronizado único 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns bandeja TSOP-II de 44 pines

SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM

Carro de la investigación 0