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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

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Número de modelo :6116LA25SOG8

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Asincrónico

Tamaño de la memoria :16Kbit

Organización de la memoria :2K x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :25ns

Tiempo de acceso :25 ns

Voltagem - Suministro :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :24-SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho)

Paquete de dispositivos del proveedor :24-SOIC

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Detalles del producto

Descripción

El IDT6116SA/LA es una memoria RAM estática de 16.384 bits de alta velocidad organizada como 2K x 8.

Características
◆ Acceso de alta velocidad y tiempo de selección de chips
Militar: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (máximo)
️ Industrial: 20/25n (máximo)
¢ Comercial: 15/20/25 días (máximo)
◆ Bajo consumo energético
◆ Batería de respaldo
Voltagem de retención de datos de 2 V (sólo versión LA)
◆ Producido con CMOS avanzado de alto rendimiento
tecnología
◆ El proceso CMOS elimina prácticamente el error de partículas alfa
las tasas
◆ Entrada y salida directamente compatibles con TTL
◆ Funcionamiento estático: no se requieren relojes ni actualizaciones
◆ Disponible en DIP de cerámica de 24 pines, cerámica y plástico de 24 pines delgado
Dip y SOIC de 24 pines
◆ Productos militares que cumplen con el MIL-STD-833, Clase B

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo
Cuadro de paquete	24-SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor	24-SOIC
Capacidad de memoria	16K (2K x 8)
Tipo de memoria	La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad	25 días
Formatos de memoria	Memoria RAM

Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
6116LA20SOGI Memoria	El objetivo de la presente Directiva es:	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas que se encuentran en una situación de riesgo.
6116LA20SOG Memoria	El objetivo de la presente Directiva es:	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. Memoria	Se trata de una serie de dispositivos que se utilizan para la obtención de datos y que se utilizan para la obtención de datos.	Corporación Simtek	6116LA25SOG8 frente a STK22C48-SF25
6116LA25SOGI Memoria	El objetivo de la presente Directiva es:	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
6116LA25SOG Memoria	El objetivo de la presente Directiva es:	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	2KX8 SRAM no volátil, 45ns, PDSO28, 0,350 INCH, plástico, SOIC-28	Rochester Electronic LLC, también conocido como	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	2KX8 SRAM no volátil, 25ns, PDSO28, 0,350 pulgadas, plástico, SOIC-28	Rochester Electronic LLC, también conocido como	El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero de los gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	2KX8 SRAM no volátil, 45 ns, PDSO28, 0,300 INCH, plástico, SOIC-28	Rochester Electronic LLC, también conocido como	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

SRAM - IC de memoria asíncrona de 16Kb (2K x 8) paralelo 25ns 24-SOIC

SRAM 16K sincronizado. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Carro de la investigación 0