Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[523]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

Preguntar último precio

Número de modelo :MT4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M410

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM - DDR3

Tamaño de la memoria :2Gbit

Organización de la memoria :el 128M x 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :800 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :13,75 ns

Voltagem - Suministro :1.425V ~ 1.575V

Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :96-TFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :96-FBGA (9x14)

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

DDR3 SDRAM

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Características

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• Entrada/salida de empuje/puja de 1,5 V con terminación central
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• Tardancia de lectura del CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 0°C a 95°C
- 64 ms, 8192 ciclos de actualización de 0°C a 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
• Escribir el nivel
• Registro multipropósito
• Calibración del controlador de salida

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Envases
Cuadro de paquete	Las demás:
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.425 V ~ 1.575 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Capacidad de memoria	2G (128M x 16)
Tipo de memoria	DDR3 SDRAM
Velocidad	800 MHz
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3 2Gb (128M x 16) paralelo a 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)

Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96 pin FBGA

Carro de la investigación 0