Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnología de microchip

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnología de microchip

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Número de modelo :93LC56BT-I/MC
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Permanente
Formato de la memoria :EEPROM
Tecnología :EEPROM
Tamaño de la memoria :2Kbit
Organización de la memoria :128 x 16
Interfaz de la memoria :Microwire
Frecuencia de reloj :2 MEGACICLOS
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :6ms
Tiempo de acceso :-
Voltagem - Suministro :2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :Almohadilla expuesta 8-VFDFN
Paquete de dispositivos del proveedor :8-DFN (2x3)
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Detalles del producto

Descripción:

Los dispositivos Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C son PROMs (EEPROM) serie de baja tensión de 2Kbit borrables eléctricamente.93LC56C o 93C56C dependen de los niveles lógicos externos que impulsan el pin ORG para establecer el tamaño de la palabraPara la comunicación dedicada de 8 bits, los dispositivos 93XX56A están disponibles, mientras que los dispositivos 93XX56B proporcionan una comunicación dedicada de 16 bits.La avanzada tecnología CMOS hace que estos dispositivos sean ideales para uso de bajo consumoLa serie 93XX completa está disponible en paquetes estándar que incluyen PDIP y SOIC de 8 conductores y en paquetes avanzados que incluyen MSOP de 8 conductores, SOT-23 de 6 conductores,TSSOP de 8 conductores 2x3 DFN/TDFN y de 8 conductoresTodos los envases están acabados sin Pb (Matte Tin).

Características:

• Tecnología CMOS de bajo consumo
• Pín ORG para seleccionar el tamaño de la palabra para la versión 56C
• 256 x 8 bits Organización A Versión (sin ORG)
• Organizaciones de 128 x 16 bits Versión B (sin ORG)
• Ciclos de borrado/escritura automáticos (incluidos
(Eliminación automática)
• Borrar todo automáticamente (ERAL) antes de escribir todo
- ¿ Qué es eso?
• Circuito de encendido/apagado de protección de datos
• El estándar de la industria de 3 cables de entrada/salida en serie
• Señales de estado del dispositivo (Listo/Ocupado)
• Función de lectura secuencial
• 1,000,000 Ciclos de borrado/escritura
• Conservación de datos > 200 años
• Libre de Pb y conforme a la Directiva RoHS
• Intervalos de temperatura admitidos:
- Industrial (I) -40 °C a +85 °C
- Automotriz (E) -40°C a +125°C

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología de microchips
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo
Unidad de peso 0.001319 onzas
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete Pad 8-VFDFN expuesto
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz Microcircuito, de 3 cables en serie
Fuente de suministro de tensión 2.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor 8 DFN (2x3)
Capacidad de memoria 2K (128 x 16)
Tipo de memoria EEPROM
Velocidad 2MHz
Tiempo de acceso 250 ns
Formatos de memoria EEPROM - en serie
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Válvula de alimentación de funcionamiento 2.5 V a 5.5 V
Corriente de suministro de funcionamiento 500 uA 100 uA
Tipo de interfaz Microcircuito de 3 cables en serie
Organizaciones 128 por 16
Alimentación de corriente máxima 2 mA
Válvula de alimentación 5.5 V
Válvula de alimentación 2.5 V
Cuadro de paquete El DFN-8
Frecuencia máxima del reloj 2 MHz
Conservación de datos Doscientos años

Descripciones

Memoria EEPROM IC 2Kb (128 x 16) SPI 2MHz 8-DFN (2x3)
EEPROM Serial-Microwire 2K-bit 128 x 16 3.3V/5V 8-Pin DFN EP T/R
EEPROM 2K 128X16 SER EE IND, para el cual se utiliza el código EE.
Carro de la investigación 0