Descripción del producto
El SST38VF166 consta de tres bancos de memoria, 2 EEPROM flash de modo sector de 512K x16 bits cada uno más una E2PROM de 4K x16 bits con palabra alterable fabricada con la propiedad de SST,tecnología SuperFlash de alto rendimiento. El SST38VF166 borra y programa con una sola fuente de alimentación. El borrado/programa interno en el banco E2 es transparente para el usuario.El dispositivo se ajusta a las (propostas) pinouts estándar de JEDEC para memorias de toda la palabra.
Las características:
• Operaciones únicas de lectura y escritura de 2,7-3,6 V
• Bancos de memoria separados para código o datos
Capacidad para leer y escribir al mismo tiempo
• Confiabilidad superior
¢ Resistencia:
Banco E2 - 500.000 ciclos (típicos)
Banco de flash - 100.000 ciclos (típico)
¢ Retención de datos durante más de 100 años
• Bajo consumo energético
️ Corriente activa, lectura: 15 mA (típico)
Corriente activa, lectura simultánea mientras se escribe: 40 mA (típico)
️ Corriente de espera: 3 μA (típica)
️ Modo de baja potencia automático Corriente: 3 μA (típica)
• Operación de escritura rápida
Flash Bloqueo-borrado + Programa: 500 ms (típico)
Sector Flash-Erase + Programa: 30 ms (típico)
¢ Banco E2 Word-Write: 9 ms (típico)
• Corrección del tiempo de borrado, programación y escritura
¢ Mantenerse constante después de andar en bicicleta
• Tiempo de acceso a la lectura
70 ns
• Dirección y datos bloqueados
• Detección del final del texto
️ Bito de cambio
¢ Datos# Encuestas
• Banco E2:
Sector-Erase (32 palabras) + Word-Programa (igual que el banco de Flash)
• Banco de flash: dos tamaños de elementos de borrado pequeños
1 KWord por sector o 32 KWord por bloque
- Borrar cualquier elemento antes de Word-Programa
• Compatibilidad de las entradas y salidas CMOS
• Conjunto de comandos estándar JEDEC
• Los paquetes disponibles
• Protección continua de los datos de hardware y software (SDP)
• Un sector E2 programable una sola vez (OTP)
