Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Las autoridades chinas han informado a la Comisión de que no se han producido cambios en el régimen de importación.

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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

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Número de modelo :IS42S16160J-7BLI
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :COPITA
Tecnología :SDRAM
Tamaño de la memoria :256Mbit
Organización de la memoria :el 16M x 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :143 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-
Tiempo de acceso :5,4 ns
Voltagem - Suministro :3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :54-TFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :54-TFBGA (8x8)
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Detalles del producto

DESCRIPCIÓN ISSI ′s DRAM síncrono de 16 Mb IS42S16100 está organizado como un banco de 524.288 palabras x 16 bits x 2 para un mejor rendimiento.Las DRAM sincrónicas logran una transferencia de datos de alta velocidad utilizando una arquitectura de tuberíaTodas las señales de entrada y salida se refieren al borde ascendente de la entrada del reloj.

Características

• Frecuencia del reloj: 166, 143, 100 MHz
• Completamente sincronizado; todas las señales se refieren a un borde positivo del reloj
• Dos bancos pueden funcionar simultáneamente e independientemente
• Banco interno doble controlado por A11 (banco seleccionado)
• Fuente de alimentación única de 3,3 V
• Interfaz LVTTL
• Largura de la ráfaga programable 1, 2, 4, 8, página completa
• Secuencia de explosión programable: Secuencial/Interleave
• Actualización automática, autoactualización
• 4096 ciclos de actualización cada 128 ms
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• latencia del CAS programable (2, 3 horas)
• Capacidad de lectura/escritura rápida y de lectura/escritura rápida
• Terminación del estallido por comando de parada del estallido y precarga
• Byte controlado por LDQM y UDQM
• Paquete 400 mil y 50 pines TSOP II

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete Las demás partidas del anexo 1
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria 256M (16M x 16)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 143 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

Memoria SDRAM IC de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 143 MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Chip de DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54 pin TFBGA
Se trata de una serie de dispositivos que se utilizan para la obtención de datos y que se encuentran en el ámbito de aplicación de la legislación de los Estados miembros.
Carro de la investigación 0