Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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3 Años
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de una tecnología para el procesamiento de datos y de datos.

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de una tecnología para el procesamiento de datos y de datos.

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Número de modelo :MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Permanente
Formato de la memoria :FLASH
Tecnología :FLASH - NAND
Tamaño de la memoria :2Gbit
Organización de la memoria :256Mx8
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-
Tiempo de acceso :-
Voltagem - Suministro :2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :63-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :63-VFBGA (9x11)
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Detalles del producto

Descripción general

Los dispositivos flash Micron NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento.Hay cinco señales de control utilizadas para implementar la interfaz de datos asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# y RE#. Las señales adicionales controlan la protección de escritura del hardware (WP#) y monitorean el estado del dispositivo (R/B#).

Características

• Interfaz NAND Flash abierta (ONFI) compatible con el punto 2.2
• Tecnología de células de múltiples niveles (MLC)
• Organizaciones
️ Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamaño del bloque: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamaño del avión: 2 aviones x 2048 bloques por avión
¢ Tamaño del dispositivo: 64 GB: 4096 bloques;
128 GB: 8192 bloques;
256 GB: 16 384 bloques;
512Gb: 32 786 bloques
• Rendimiento de E/S sincrónico
¢ Hasta el modo de sincronización 5
La velocidad del reloj: 10ns (DDR)
¢ Rendimiento de lectura/escritura por pin: 200 MT/s
• Rendimiento de E/S asíncrono
¢ Hasta el modo de sincronización asíncrona 5
¿Qué quieres decir?
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Rendimiento de la matriz
¢ Lectura de la página: 50 μs (MAX)
Página del programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueo de borrado: 3 ms (TYP)
• Rango de tensión de funcionamiento
VCC: 2.7V 3.6V
VCCQ: 1,7 V1,95 V, 2,7 V3,6 V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avanzados
El caché del programa
Leer secuencialmente la caché
Leer la caché al azar
¢ Modo programable de una sola vez (OTP)
Comando de varios planos
Las operaciones con múltiples LUN
Leer el identificador único
– Copyback
• El primer bloque (dirección del bloque 00h) es válido cuando se envía
Para el ECC mínimo requerido, véase
Gestión de errores (página 109).
• Se requiere RESET (FFh) como primer comando después del encendido
En el
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para
Detección
¢ Finalización de la operación
Condición de aprobación o de rechazo
El estado de protección de escritura
• Las señales de estroboscopo de datos (DQS) proporcionan un método de hardware
para la sincronización de datos DQ en el sistema sincrónico
Interfaz
• Operaciones de copia de seguridad soportadas dentro del avión
de la que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad
¢ Conservación de los datos: 10 años
¢ Durabilidad: 5000 ciclos de programación/borrado
• Temperatura de funcionamiento:
️ Comercial: de 0°C a +70°C
Industriales (IT): de 40 oC a + 85 oC
• Paquete
¢ LGA de 52 almohadillas
¢ TEP de 48 pines
– 100-ball BGA

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Categorías Memoria
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Serie -
Embalaje Envases
Estado de las partes Actividad
Tipo de memoria No volátiles
Formato de memoria El flash.
Tecnología Las condiciones de los datos de las unidades de control
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página -
Interfaz de memoria En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete Se aplicará el procedimiento siguiente:
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad de alta velocidad.
Número de partes de base MT2F2G08

Descripciones

Flash - IC de memoria NAND 2 GB (256M x 8) paralelo a 63 VFBGA (9x11)
SLC NAND Flash paralelo 3.3V 2G-bit 256M x 8 63 pin VFBGA bandeja
Carro de la investigación 0