Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[523]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Tecnologías Infineon

Preguntar último precio

Número de modelo :S29GL128P90TFIR10

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Permanente

Formato de la memoria :FLASH

Tecnología :FLASH - NI

Tamaño de la memoria :128Mbit

Organización de la memoria :el 16M x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :90ns

Tiempo de acceso :90 ns

Voltagem - Suministro :2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :56-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :56-TSOP

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit y 128 Megabit Modo de página de sólo 3,0 voltios Memoria flash con tecnología de proceso MirrorBit de 90 nm

Descripción general

Las Spansion S29GL01G/512/256/128P son productos Mirrorbit® Flash fabricados con tecnología de proceso de 90 nm.Estos dispositivos ofrecen un tiempo de acceso rápido a la página de 25 ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente tan rápido como 90 nsCuentan con un búfer de escritura que permite programar un máximo de 32 palabras / 64 bytes en una operación, lo que resulta en un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar.Esto hace que estos dispositivos sean ideales para las aplicaciones integradas actuales que requieren una mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.

Características distintivas

■ Lectura/programación/borrado de 3 V (2,7-3,6 V)
■ Control versátil/OTM mejorado
Todos los niveles de entrada (dirección, control y niveles de entrada DQ) y salidas están determinados por la tensión en la entrada VIO.
■ Tecnología del proceso MirrorBit de 90 nm
■ Buffer de lectura de páginas de 8 palabras/16 bytes
■ El búfer de escritura de 32 palabras/64 bytes reduce el tiempo de programación general para las actualizaciones de varias palabras
■' Región del sector del silicio seguro
Sector de 128 palabras/256 bytes para una identificación permanente y segura mediante un número de serie electrónico aleatorio de 8 palabras/16 bytes
Se puede programar y bloquear en la fábrica o por el cliente
■ Arquitectura de sector uniforme de 64 Kword/128 Kbyte
S29GL01GP: mil veinticuatro sectores
S29GL512P: quinientos doce sectores
S29GL256P: Doscientos cincuenta y seis sectores
S29GL128P: ciento veintiocho sectores
■ 100 000 ciclos de borrado por sector
■ 20 años de retención de datos
■ Paquetes ofrecidos

■ Suspender y reanudar los comandos para las operaciones de programación y borrado
■ Los bits de estado de la operación de escritura indican la finalización de la operación de programación y borrado
■ Desbloquear el comando Bypass Program para reducir el tiempo de programación
■ Soporte para CFI (interfaz flash común)
■ Métodos persistentes y de contraseña de protección avanzada de sectores
■ Entrada WP#/ACC
- Acelera el tiempo de programación (cuando se aplica VHH) para un mayor rendimiento durante la producción del sistema
Protege el primer o último sector independientemente de la configuración de protección de los sectores.
■ Intro de reinicio del hardware (RESET#) dispositivo de reinicio
■ La salida Ready/Busy# (RY/BY#) detecta la finalización del ciclo de programación o borrado

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ciprés semiconductor
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	G.L.P
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Estilo de montaje	DSM/SMT
Rango de temperatura de funcionamiento	- 40 ° C a + 85 ° C
Cuadro de paquete	56-TFSOP (0,724", 18,40 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	56-TSOP
Capacidad de memoria	128M (16M x 8)
Tipo de memoria	FLASH - Ni siquiera
Velocidad	90 años
Arquitectura	Sector
Formatos de memoria	El flash.
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	16 M x 8
Alimentación de corriente máxima	110 mA
Ancho del bus de datos	8 bits
Válvula de alimentación	3.6 V
Válvula de alimentación	2.7 V
Cuadro de paquete	Se trata de la TSOP-56.
Tipo de tiempo	Asíncrono

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
S29GL128P90TAIR20: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El S29GL128P90TFIR10 frente al S29GL128P90TAIR20
S29GL128P90TFCR13 Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
S29GL128P90TFIR23: el uso de las mismas Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
S29GL128P90TFCR20: el contenido de la sustancia activa en el producto es inferior al 10% del contenido en el producto. Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.
S29GL128P90TFCR23: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	El uso de las tecnologías de la información y la comunicación en el ámbito de la seguridad de la información y la comunicación se debe realizar de conformidad con los requisitos de la Directiva 95/46/CE.	Expansión	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
S29GL128P90TAIR13: las condiciones de las operaciones de los Estados miembros. Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El S29GL128P90TFIR10 frente al S29GL128P90TAIR13
S29GL128P90TAIR23: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B. Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	El S29GL128P90TFIR10 frente al S29GL128P90TAIR23
S29GL128P90TFCR10 Memoria	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 y el resto de los dispositivos de seguridad.	El ciprés semiconductor	Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías IIa y IIIa.
S29GL128P90TFIR20: el contenido de los residuos de la sustancia activa es superior al 10% Memoria	El uso de las tecnologías de la información y la comunicación en el ámbito de la seguridad de la información y la comunicación se debe realizar de conformidad con los requisitos de la Directiva 95/46/CE.	Expansión	Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves que no estén equipadas con un sistema de seguridad de alto rendimiento.

Descripciones

Flash - NOR IC de memoria de 128 Mb (16M x 8) paralelo 90ns 56-TSOP

NOR Flash paralelo 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 90ns bandeja TSOP de 56 pines

Memoria flash de 128 Mb 3V 90 ns paralela o no flash

Carro de la investigación 0