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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP Tecnologías Infineon

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Número de modelo :Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad d

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Síncrono, SDR

Tamaño de la memoria :9Mbit

Organización de la memoria :512K x 18

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :250 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :2.8 ns

Voltagem - Suministro :3.135V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :100-LQFP

Paquete de dispositivos del proveedor :100-TQFP (14x20)

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Detalles del producto

Descripción funcional

Las SRAM CY7C1354A y CY7C1356A están diseñadas para eliminar los ciclos muertos cuando se hace la transición de lectura a escritura o viceversa.Estas SRAMs están optimizadas para una utilización del 100% del bus y logran una latencia de bus cero (ZBLTM) / ninguna latencia de bus (NoBLTM)Incluyen células SRAM de 262.144 × 36 y 524.288 × 18, respectivamente, con circuitos periféricos síncronos avanzados y un contador de dos bits para el funcionamiento de ráfaga interna.diseños CMOS de baja potencia que utilizan poli silicio avanzado de tres capasCada célula de memoria consta de cuatro transistores y dos resistencias de alto valor.

Características

• Cero latencia de bus, sin ciclos muertos entre los ciclos de escritura y lectura
• Velocidad de reloj rápida: 200, 166, 133, 100 MHz
• Tiempo de acceso rápido:2, 3.6, 4.2, 5,0 ns
• Las salidas registradas sincronizadas internamente eliminan la necesidad de controlar la OE
• Fuente de alimentación VCC de 3.3 V única ¥5% y +5%
• VCCQ separado para 3.3V o 2.5V de entrada/salida
• Pín de control WEN (lectura/escritura) único
• Registros de señales de dirección, datos y control positivos activados por el borde del reloj para aplicaciones completamente en tubería
• Capacidad de explosión de cuatro palabras entrelazadas o lineales
• Control de escritura de byte individual (BWa BWd) (puede estar ligado a LOW)
• Pin CEN para activar el reloj y suspender las operaciones
• Tres chips permiten una simple expansión de profundidad
• Desactivación automática disponible en el modo ZZ o seleccionando CE
• Escaneo de límites de JTAG
• Paquetes TQFP de perfil bajo de 119 columnas, 14 mm × 22 mm BGA (Ball Grid Array) y 100 pines

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ciprés semiconductor
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	NoBLTM
El tipo	Sincronizado
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Unidad de peso	0.023175 onzas
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	100 LQFP
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3.135 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Capacidad de memoria	9M (512K x 18)
Tipo de memoria	El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad	250 MHz
Tasa de datos	DEG
Tiempo de acceso	2.8 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento	0 C
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	512 k x 18
Alimentación de corriente máxima	250 mA
Válvula de alimentación	3.6 V
Válvula de alimentación	3.135 V
Cuadro de paquete	TQFP-100: las condiciones de los productos
Frecuencia máxima del reloj	250 MHz

Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la información de los usuarios.	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: Memoria	512KX18 ZBT SRAM, 4.2ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, plástico, TQFP-100	Rochester Electronic LLC, también conocido como	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: Memoria	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, libre de plomo, plástico, MS-026, TQFP-100	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcula en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un producto de fabricación en el que se utilizan productos de fabricación en el sector de la energía. Memoria	TQFP-100, bandeja	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las que se trate se determinará en función de las características de las instalaciones. Memoria	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, libre de plomo, plástico, MS-026, TQFP-100	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IDT71V65803S133PFGI Memoria	Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la información de los usuarios.	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	TQFP-100, bandeja	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	CY7C1356C-250AXC frente a 71V65803S133PFG
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos. Memoria	ZBT SRAM, 512KX18, 3.2ns, CMOS, PQFP100, (14 X 20 X 1.4) MM, libre de plomo, plástico, TQFP-100	El ciprés semiconductor	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	TQFP-100, carrete	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la información de los usuarios.	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El objetivo de la medida es el de garantizar que los vehículos de transporte de pasajeros se encuentren en condiciones normales de seguridad.

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 9 Mb (512K x 18) paralelo a 250 MHz 2.8ns 100-TQFP (14x20)

SRAM 9Mb 250Mhz 512K x 18 SRAM por conducto

Carro de la investigación 0