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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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Número de modelo :Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Síncrono, SDR

Tamaño de la memoria :4.5Mbit

Organización de la memoria :128K x 36

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :133 megaciclos

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :4 ns

Voltagem - Suministro :3.135V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :Las demás:

Paquete de dispositivos del proveedor :Se trata de un sistema de control de velocidad.

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Detalles del producto

Descripción funcional

El CY7C1350G es una SRAM de ráfaga de 3,3 V, 128 K × 36 sincronizada con tuberías diseñada específicamente para admitir operaciones de lectura / escritura reales ilimitadas sin la inserción de estados de espera.El CY7C1350G está equipado con la lógica avanzada No Bus LatencyTM (NoBLTM) necesaria para permitir operaciones de lectura/escritura consecutivas con datos transferidos en cada ciclo de relojEsta característica mejora drásticamente el rendimiento de la SRAM, especialmente en sistemas que requieren frecuentes transiciones de escritura / lectura.

Características

■ compatibles con pines y funcionalmente equivalentes a los dispositivos ZBTTM
■ Control del búfer de salida automático de tiempo interno para eliminar la necesidad de utilizar OE
■ Capacidad de escritura de bytes
■ 128 K × 36 arquitectura de E/S común
■ 3,3 V de alimentación (VDD)
■ Fuente de alimentación de entrada y salida de 2,5 V / 3,3 V (VDDQ)
■ Tiempos rápidos de horario a salida
¢ 2,8 ns (para el dispositivo de 200 MHz)
■ Clock enable (CEN) pin para suspender el funcionamiento
■ Escrituras sincronizadas con tiempo automático
■ Activación de la salida asíncrona (OE)
■ Disponible en el paquete TQFP de 100 pines sin Pb, en el paquete BGA de 119 bolas sin Pb y sin Pb
■ Capacidad de estallido: orden de estallido lineal
■ Opción de modo de reposo

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ciprés semiconductor
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	NoBLTM
Embalaje	Envases
Cuadro de paquete	Las demás:
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3.135 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	Se trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria	4.5M (128K x 36)
Tipo de memoria	El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad	133MHz
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 4,5 Mb (128K x 36) paralelo a 133 MHz 4ns 119-PBGA (14x22)

Carro de la investigación 0