Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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85MHZ memoria Flash estable IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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85MHZ memoria Flash estable IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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Number modelo :AT45DB161E-SHD-T
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :en existencia
Plazo de expedición :3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado :caja antiestática del bolso y de cartón
Tipo de la memoria :Permanente
Formato de la memoria :FLASH
Tecnología :FLASH
Tamaño de la memoria :16Mbit
Organización de la memoria :528 bytes x 4096 páginas
Interfaz de la memoria :SPI
Frecuencia de reloj :85 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :8µs, 4ms
Tiempo de acceso :-
Voltaje - fuente :2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C (TC)
Montaje del tipo :Soporte superficial
Paquete/caso :8-SOIC (0,209", anchura de 5.30m m)
Paquete del dispositivo del proveedor :8-SOIC
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Diseño Alemania del FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas de AT45DB161E-SHD-T IC GmbH

Detalles del producto

Descripción

El Atmel AT45DB161E es un mínimo 2.3V o 2.5V, memoria Flash de acceso secuencial del serial-interfaz adecuada idealmente para una amplia variedad de voz digital, imagen, código de programa, y los usos del almacenamiento de datos. El AT45DB161E también apoya la interfaz en serie de los rápidos para los usos que requieren la operación muy de alta velocidad. Sus 17.301.504 pedazos de la memoria se organizan como 4.096 páginas de 512 bytes o de 528 bytes cada uno. Además de memoria principal, el AT45DB161E también contiene dos almacenadores intermediarios de SRAM de 512/528 de los bytes cada uno. Los almacenadores intermediarios permiten la recepción de datos mientras que una página en el de memoria principal se está reprogramando. La interpolación entre ambos almacenadores intermediarios puede aumentar dramáticamente la capacidad de un sistema de escribir una secuencia de datos continua. Además, los almacenadores intermediarios de SRAM se pueden utilizar como rasguño adicional del sistema pademory, y la emulación de E2PROM (alterabilidad del pedazo o del byte) se puede manejar fácilmente con tres autónomos que el paso lectura-modificar-escribe la operación.

Características

 solo 2.3V - 3.6V o 2.5V - fuente 3.6V
interfaz periférico serial del  (SPI) compatible
el  apoya los modos 0 y 3 de SPI
el  apoya la operación de Atmel® RapidS™
capacidad leída continua del  con arsenal entero
 hasta 85MHz
opción leída de baja potencia del  hasta 10MHz
tiempo de la Reloj-a-salida del  (TV) del máximo 6ns
tamaño de página configurable del usuario del 
 512 bytes por la página
 528 bytes por la página (defecto)
el tamaño de página del  puede ser fábrica preconfigurada para 512 bytes
almacenadores intermediarios de datos de SRAM de la independiente del  dos completamente - (512/528 de los bytes)
 Allows que recibe datos mientras que reprograma el arsenal de memoria principal
opciones programadas flexibles del 
programa del byte/de la página del  (1 a 512/528 de los bytes) directamente en de memoria principal
almacenador intermediario del  escribir
el  protege al programa de memoria principal de la página
opciones flexibles del borrado del 
borrado de la página del  (512/528 de los bytes)
el  bloquea el borrado (4KB)
borrado del sector del  (128KB)
 Chip Erase (16-Mbits)
el programa y el borrado del  suspenden/curriculum vitae
características de protección de datos avanzadas del soporte físico y del software del 
protección individual del sector del 
lockdown individual del sector del  para hacer cualquier sector permanentemente inalterable
byte del  128, registro programable de una sola vez de la seguridad (OTP)
 fábrica de 64 bytes programada con un identificador único
 usuario de 64 bytes programable
reset controlado del software del 
la identificación estándar del fabricante y del dispositivo del  JEDEC leyó
disipación de baja potencia del 
corriente Ultra-profunda del poder-Abajo del  500nA (típica)
corriente profunda del poder-Abajo del  3μA (típica)
corriente del recurso seguro del  25μA (típica)
corriente leída activa del  11mA (típica)
resistencia del : 100.000 ciclos del programa/del borrado por mínimo de la página
retención de los datos del : 20 años
el  cumple con la gama de temperaturas industrial completa
opciones de empaquetado del verde del  (Pb/Halide-free/RoHS obediente)
 8 llevar SOIC (0,150" ancho)
cojín DFN ultrafino (5 x 6 x 0.6m m) del  8
Microprocesador-escala BGA (5 x 5 x 1.2m m) de la bola del  9

Especificaciones

Cualidad Valor del atributo
Fabricante ADESTO
Categoría de producto Memoria ICs
Serie AT45DB
Empaquetado Tubo
Unidad-peso 0,019048 onzas
Montaje-estilo SMD/SMT
Actuar-Temperatura-gama - 40 C a + 85 C
Paquete-caso 8-SOIC (0,209", anchura de 5.30m m)
Actuar-temperatura -40°C ~ 85°C (TC)
Interfaz SPI, rápidos
Voltaje-fuente 2,5 V ~ 3,6 V
Proveedor-Dispositivo-paquete 8-SOIC
Capacidad de memoria el 16M (4096 páginas x 528 bytes)
Memoria-tipo DataFLASH
Velocidad 85MHz
Arquitectura Chip Erase
Formato-memoria FLASH
Interfaz-tipo SPI
Organización 2 M x 8
Fuente-Actual-máximo 22 mA
Dato-Autobús-anchura pedazo 8
Fuente-Voltaje-máximo 3,6 V
Fuente-Voltaje-minuto 2,5 V
Paquete-caso SOIC-8
Máximo-Reloj-frecuencia 70 megaciclos
Sincronización-tipo Síncrono
ComponentForm compatible funcional, paquete, componente compatible funcional
Fabricante Part # Descripción Fabricante Compare
SST25VF016B-50-4I-QAF
Memoria
16M x 1 2.7V BAILE DE FIN DE CURSO DE DESTELLO, DSO8, 6 x 5 MILÍMETROS, ROHS OBEDIENTE, WSON-8 Tecnología inc. del microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-QAF
SST26VF016B-104I/SM
Memoria
BAILE DE FIN DE CURSO del FLASH 2.7V de IC, ROM programable Tecnología inc. del microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST26VF016B-104I/SM
SST25VF016B-75-4I-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V BAILE DE FIN DE CURSO DE DESTELLO, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS OBEDIENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnología inc. del microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-75-4I-S2AF
AT45DB161E-SSHD-T
Memoria
De destello, 16MX1, PDSO8, 0,150 PULGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-T
AT45DB161E-SHD-B
Memoria
De destello, 16MX1, PDSO8, 0,208 PULGADAS, VERDE, PLÁSTICO, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SHD-B
AT45DB161E-SSHD-B
Memoria
De destello, 16MX1, PDSO8, 0,150 PULGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-B
AT45DB161D-SU
Memoria
De destello, 16MX1, PDSO8, 0,209 PULGADAS, VERDE, PLÁSTICO, EIAJ, SOIC-8 Atmel Corporation AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161D-SU
SST25VF016B-50-4I-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V BAILE DE FIN DE CURSO DE DESTELLO, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS OBEDIENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnología inc. del microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V BAILE DE FIN DE CURSO DE DESTELLO, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS OBEDIENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnología inc. del microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4C-S2AF

Descripciones

Memoria Flash IC 16Mb (528 bytes x 4096 páginas) SPI 85MHz 8-SOIC
NI SERIAL-SPI de destello 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash de los datos de memoria Flash el 16M 2.5-3.6V 85Mhz
Carro de la investigación 0