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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC

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Number modelo :IR2111

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :en existencia

Plazo de expedición :3-5 días del trabajo

Detalles de empaquetado :caja antiestática del bolso y de cartón

Configuración conducida :Semipuente

Tipo de canal :Síncrono

Número de conductores :2

Tipo de la puerta :IGBT, MOSFET del canal N

Voltaje - fuente :10V ~ 20V

Voltaje de la lógica - VIL, VIH :8.3V, 12.6V

Actual - salida máxima (fuente, fregadero) :250mA, 500mA

Tipo entrado :No-inversión

Alto voltaje lateral - máximo (tirante) :600 V

Tiempo de la subida/caída (tipo) :80ns, 40ns

Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo :A través del agujero

Paquete/caso :8-DIP (0,300", 7.62m m)

Paquete del dispositivo del proveedor :8-PDIP

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SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC

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Descripción

El IR2111 es un MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y el conductor de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirió a los canales de salida diseñados para los medios usos del puente. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salidas estándar del Cmos. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El deadtime interno se proporciona para evitar lanzamiento-por en el semipuente de la salida. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Características

• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
Completamente - operativo a +600V
Tolerante al voltaje transitorio negativo
dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• El Cmos Schmitt-accionó entradas con tirón-abajo
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Deadtime internamente determinado
• Alta salida lateral en fase con la entrada
• SIN PLOMO también disponible

Especificaciones

Cualidad	Valor del atributo
Fabricante	Infineon
Categoría de producto	Conductores de la puerta
Serie	-
Tipo	Semipuente
Empaquetado	Tubo
Paquete-caso	A través del agujero
Actuar-temperatura	80ns, 40ns
Montaje-tipo	-40°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor-Dispositivo-paquete	8-DIP (0,300", 7.62m m)
Resolución-pedazos	2
Dato-interfaz	Síncrono
Voltaje-Fuente-análogo	No-inversión
Voltaje-Fuente-digital	600V
Número-de-ADC-DACs
Sigma-delta	10 V ~ 20 V
S-n-ratio-ADC-DACs-DB-Typ	8.3V, 12.6V
Dinámico-Gama-ADC-DACs-DB-Typ	250mA, 500mA

Descripciones

Conductor IC Non-Inverting 8-DIP de la puerta del semipuente

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