Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT
Descripción de producto de IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1 es un cortocircuito eficiente IGBT discreto rugoso que proporciona por lo menos un voltaje de saturación más bajo del 10% que otros.
Especificación de IKW30N65ET7XKSA1
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Número de parte
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IKW30N65ET7XKSA1
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Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
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Poder - máximo
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Energía que cambia
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590µJ (encendido), 500µJ (apagado)
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Características de IKW30N65ET7XKSA1
Otros tipos de producto de la fuente
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Número de parte
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Paquete
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MSC035SMA070B4
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TO-247-4
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QH8MA4TCR
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DFN8
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S25FL128SAGMFMR00
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SOP16
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S25FL064LABMFV011
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SOP8
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CY15B108QI-20LPXC
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QFN
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CY15B104QI-20LPXC
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DIP8
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FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
