ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Mingjiada
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módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT
Descripción de producto de DF23MR12W1M1B11BPSA1
DF23MR12W1M1B11BPSA1 es módulos del MOSFET del carburo de silicio, arsenal 1200V, soporte del Mosfet del chasis.
Especificación de DF23MR12W1M1B11BPSA1
| Número de parte | DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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1200V (1.2kV)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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25A (Tj)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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45mOhm @ 25A, 15V (tipo)
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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5.55V @ 10mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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62nC @ 15V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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1840pF @ 800V
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Características de DF23MR12W1M1B11BPSA1
Otros componentes electrónicos en existencia
| Número de parte | Paquete |
| TPS826745SIPR | USIP8 |
| CY7C1512KV18-250BZXI | BGA |
| NPH10S4803IC | INMERSIÓN |
| NMG0505SC | SORBO |
| 78615/8MC | SMD |
| 78613/8JC | SMD |
FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.