Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Descripción de A2U12M12W2-F2

A2U12M12W2-F2 es un módulo de potencia que representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la avanzada tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio.Este módulo A2U12M12W2-F2 aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de banda prohibida ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.El resultado es una resistencia excepcionalmente baja por unidad de área y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

Atributos del producto de A2U12M12W2-F2

Todas las características de A2U12M12W2-F2
topología de 3 niveles
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS típico (encendido) cada interruptor
Tensión de aislamiento certificada por UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
Basado en DBC Cu-Al2O3-Cu
Pasadores de contacto de ajuste a presión

Topología eléctrica y descripción de pines de A2U12M12W2-F2

Preguntas más frecuentes

P. ¿Sus productos son originales?

R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.

P: ¿Qué certificados tienes?

R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.

P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?

R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.

P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?

R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.

P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?