FET de los conductores LMG3425R030RQZR GaN de la puerta con el conductor integrado y el modo ideal VQFN54 del diodo
Descripción
El FET de LMG342xR030 GaN con el conductor integrado y la protección permite a diseñadores alcanzar nuevos niveles de densidad y de eficacia de poder en sistemas de la electrónica de poder. El LMG342xR030 integra un conductor del silicio que permita cambiar acelere a 150 V/ns. Resultados integrados del prejuicio de la puerta de la precisión del TI en una transferencia más alta SOA comparado a los conductores discretos de la puerta de silicio. Esta integración, combinada con el paquete de baja inductancia del TI, entrega la transferencia limpia y el sonido mínimo en topologías de la fuente de alimentación de la duro-transferencia. La fuerza ajustable de la impulsión de la puerta permite el control de la tarifa de ciénaga a partir de 20 V/ns a 150 V/ns, que se pueden utilizar para controlar la EMI y para optimizar activamente funcionamiento de la transferencia. El LMG3425R030 incluye el modo ideal del diodo, que reduce pérdidas del tercero-cuadrante permitiendo control adaptante del muerto-tiempo.
Especificaciones
Conductor ICs - diverso
Alto-lado, Bajo-lado
SMD/SMT
VQFN-54
1 conductor
1 salida
7,5 V
18 V
Inversión, No-invirtiendo
2,5 ns
21 ns
- 40 C
+ 125 C
Usos
Fuentes de alimentación industriales de alta densidad
Inversores solares e impulsiones industriales del motor
Fuentes de alimentación ininterrumpibles
Fuente de alimentación mercantil de la red y del servidor
Rectificadores mercantil de las telecomunicaciones
Características
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
Calificado para JEDEC JEP180 para las topologías de la duro-transferencia
FET de 600-V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
200-V/ns CMTI
frecuencia que cambia 2.2-MHz
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización de cambiar funcionamiento y la mitigación de la EMI
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
Protección robusta
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y protección trabada del shortcircuit con < 100-ns="" response="">
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
Autopretección de la temperatura excesiva interna y de la supervisión de UVLO
Gestión avanzada del poder
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante en LMG3425R030
Medida para determinar retrasos de propagación y tarifas de ciénaga
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
FAQ Q. ¿Son sus productos originales? : Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito. Q: ¿Qué certificados usted tiene? : Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI. Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre? : Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto. Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro? : Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden. Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución? : Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
