MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Paquete del MOSFET TO247 del foso de los transistores IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ sic

Descripción

El CoolSiC™ 1200 V, MOSFET de 14 mΩ sic en emplear del paquete TO247-4 un proceso avanzado del semiconductor del foso optimizado para combinar funcionamiento con confiabilidad. Con respecto al silicio tradicional (Si) basó los interruptores como IGBTs y los MOSFETs, sic el MOSFET ofrece una serie de ventajas. Éstos incluyen, la carga más baja de la puerta y los interruptores vistos los niveles V de la capacitancia del dispositivo en 1200, ningunas pérdidas reversas de la recuperación del diodo interno del cuerpo de la prueba de la conmutación, las pérdidas que cambian bajas independientes de la temperatura, y el en-estado umbral-libre char4acteristic. Los MOSFETs de CoolSiC™ son ideales para las topologías duras y de la resonante-transferencia como los circuitos de la corrección de factor de poder (PFC), las topologías bidireccionales y los convertidores de DC-DC o los inversores de DC-AC.

Resumen de características

• Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase
• Alto voltaje del umbral de la prueba patrón, Vth > 4 V
• voltaje de la puerta de la vuelta-apagado 0V para la impulsión fácil y simple de la puerta
• Gama ancha del voltaje de la puerta-fuente
• Diodo robusto y de pequeñas pérdidas del cuerpo clasificado para la conmutación dura
• Pérdidas que cambian de la vuelta-apagado independiente de la temperatura
• Tecnología de la interconexión de .XT para el funcionamiento termal de la mejor-en-clase

Ventajas

• La eficacia más alta
• Esfuerzo de enfriamiento reducido
• Una operación más alta de la frecuencia
• Densidad de poder creciente
• Complejidad de sistema reducida

Usos

• Formación de la batería
• Carga rápida de EV
• Control e impulsiones de motor
• Soluciones para los sistemas de energía fotovoltaicos
• Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)

Diagramas