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Alto transmisor de presión del nivel líquido del tempearture para la metalurgia: -0,1 Mpa - el hilo de 100 Mpa conecta
Tabla de la comparación:
Transmisor de alta temperatura del nivel líquido de los sereis de P2-2GX
Gama de presión: -0,1 Mpa a Mpa 100
Conecte: hilo M20 * 1,5, G1/2, G1/4, NPT1/2, NPT1/4
Medios temperatura: -40 ~ 85℃
Presión de la sobrecarga: 2 veces de la presión clasificada
Exactitud: 0,25%, 0,5%
Fuente de alimentación: 24V DC
Salida: 4-20mA
Protección: IP65
Modelo | Presión | Conecte | Sobrecarga | Exactitud | Temporeros. | Poder | Salida | Protección | Transductor |
P2-1x | 0.1~100Mpa | hilo | 2 veces | 0,25%, 0,5% | -40 ~ 85℃ | 24VDC | 4-20mA | IP65 | resistencia de presión de cerámica |
P2-2G | -0.1~100 Mpa | ||||||||
P2-2x | -0.1~100 Mpa | -40 ~ 400℃ |
Campo del uso
Se aplica extensamente en planta de agua, refinería de petróleo, depuradora de aguas residuales, material de construcción, y campos de la maquinaria.
Descripción:
El tipo pequeño y exquisito presión/transmisor del nivel líquido se equipa del tratamiento del circuito y de la tecnología avanzados de la remuneración de temperatura.
Características de producto
Índice técnico
Características: transmisor de presión por el transductor de cerámica de la resistencia de presión
Sereis P2-1 con el transductor difundido del silicón
Gama de presión: -0,1 Mpa a Mpa 100
Conecte: hilo M20 * 1,5, G1/2, G1/4, NPT1/2, NPT1/4
Medios temperatura: -40 ~ 85℃
Presión de la sobrecarga: 2 veces de la presión clasificada
Exactitud: 0,25%, 0,5%
Fuente de alimentación: 24V DC
Salida: 4-20mA
Protección: IP65
Características: transmisor de presión por el transductor difundido del silicón
Sereis de P2-1G con el transductor difundido del silicón para la temperatura alta
Gama de presión: -0,1 Mpa a Mpa 100
Conecte: hilo M20 * 1,5, G1/2, G1/4, NPT1/2, NPT1/4
Medios temperatura: -40 ~ 400℃
Presión de la sobrecarga: 2 veces de la presión clasificada
Exactitud: 0,25%, 0,5%
Fuente de alimentación: 24V DC
Salida: 4-20mA
Protección: IP65
Características: transmisor de presión por el transductor difundido del silicón para los medios des alta temperatura