Los materiales de cerámica de alto rendimiento del nitruro de silicio desarrollados para la industria de aluminio han mejorado perceptiblemente propiedades termales y mecánicas que productos similares. Sobre esta base, el “alto “dispositivo de calefacción sumergido en forma de L” de la conductividad termal traerá progreso revolucionario al equipo industrial de aluminio.
El nitruro de silicio de cerámica es ampliamente utilizado como tubo de la protección del termopar. Debido a su funcionamiento de alta temperatura excelente, la vida de servicio es más de un año.
Ventaja:
-
La cerámica del nitruro de silicio tiene mojabilidad baja al aluminio fundido, así que el mantenimiento in situ es básicamente innecesario.
-
Comparado con arrabio, el grafito y otros materiales, nitruro de silicio no serán corroídos por el aluminio fundido, así asegurando la exactitud y la sensibilidad de la temperatura medida;
El nitruro de silicio relacionó datos
| Componente principal |
99%Al2O3 |
S-SIC |
ZrO2 |
Si3N4 |
Físico
Propiedad |
Densidad |
g/cm3 |
3,9 |
3,1 |
6 |
3,2 |
| Absorción de agua |
% |
0 |
0,1 |
0 |
0,1 |
| Temperatura del sínter |
°C |
1700 |
2200 |
1500 |
1800 |
Mecánico
Propiedad |
Dureza de Rockwell |
Alto voltaje |
1700 |
2200 |
1300 |
1400 |
| Fuerza de la curva |
kgf/mm2 |
3500 |
4000 |
9000 |
7000 |
| Intensidad de la compresión |
Kgf/mm2 |
30000 |
20000 |
20000 |
23000 |
Termal
Propiedad |
Funcionamiento máximo
temperatura |
°C |
1500 |
1600 |
1300 |
1400 |
extensión termal
coeficiente
0-1000°C |
/°C |
8.0*10-6 |
4.1*10-6 (0-500°C) |
9.5*10-6 |
2.0*10-6 (0-500°C) |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) |
4.0*10-6 (500-1000°C) |
| Resistencia de choque termal |
T (°C) |
200 |
250 |
300 |
400-500 |
| Conductividad termal |
W/m.k (25°C |
31 |
100 |
3 |
25 |
| 300°C) |
16 |
100 |
3 |
25 |
Eléctrico
Propiedad |
Índice de resistencia de volumen |
◎los .cm |
|
|
|
|
| 20°C |
>1012 |
106-108 |
>1010 |
>1011 |
| 100°C |
1012-1013 |
– |
– |
>1011 |
| 300°C |
>1012 |
– |
– |
>1011 |
Avería del aislamiento
Intensidad |
KV/mm |
18 |
semiconductor |
9 |
17,7 |
| Constante dieléctrica (1 megaciclo) |
(e) |
10 |
– |
29 |
7 |
| Disipación dieléctrica |
(tg o) |
0.4*10-3 |
– |
– |
– |
