Los materiales de cerámica de alto rendimiento del nitruro de silicio desarrollados para la industria de aluminio han mejorado perceptiblemente propiedades termales y mecánicas que productos similares. Sobre esta base, el “alto “dispositivo de calefacción sumergido en forma de L” de la conductividad termal traerá progreso revolucionario al equipo industrial de aluminio.
El nitruro de silicio de cerámica se ha convertido en el material de la opción para el tubo externo de la protección de calentadores eléctricos y de calentadores de gas debido a su funcionamiento de alta temperatura excelente.
Debido a su buena fuerza da alta temperatura y alta resistencia de choque termal, el producto puede soportar la carga termal del elemento o de la hornilla de alta temperatura de calefacción durante mucho tiempo, y la vida de servicio es más de un año;
Ventaja:
-
Comparado con el método de calefacción radiante superior tradicional, la eficacia ahorro de energía alcanza 20%-30%, y el recalentamiento y la oxidación del líquido de aluminio superior se evita con eficacia.
-
La cerámica del nitruro de silicio reacciona apenas con el aluminio fundido, así que no contaminará el aluminio fundido, que es beneficioso mantener la pureza del aluminio fundido calentado;
El nitruro de silicio relacionó datos
| Componente principal |
99%Al2O3 |
S-SIC |
ZrO2 |
Si3N4 |
Físico
Propiedad |
Densidad |
g/cm3 |
3,9 |
3,1 |
6 |
3,2 |
| Absorción de agua |
% |
0 |
0,1 |
0 |
0,1 |
| Temperatura del sínter |
°C |
1700 |
2200 |
1500 |
1800 |
Mecánico
Propiedad |
Dureza de Rockwell |
Alto voltaje |
1700 |
2200 |
1300 |
1400 |
| Fuerza de la curva |
kgf/mm2 |
3500 |
4000 |
9000 |
7000 |
| Intensidad de la compresión |
Kgf/mm2 |
30000 |
20000 |
20000 |
23000 |
Termal
Propiedad |
Funcionamiento máximo
temperatura |
°C |
1500 |
1600 |
1300 |
1400 |
extensión termal
coeficiente
0-1000°C |
/°C |
8.0*10-6 |
4.1*10-6 (0-500°C) |
9.5*10-6 |
2.0*10-6 (0-500°C) |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) |
4.0*10-6 (500-1000°C) |
| Resistencia de choque termal |
T (°C) |
200 |
250 |
300 |
400-500 |
| Conductividad termal |
W/m.k (25°C |
31 |
100 |
3 |
25 |
| 300°C) |
16 |
100 |
3 |
25 |
Eléctrico
Propiedad |
Índice de resistencia de volumen |
◎los .cm |
|
|
|
|
| 20°C |
>1012 |
106-108 |
>1010 |
>1011 |
| 100°C |
1012-1013 |
– |
– |
>1011 |
| 300°C |
>1012 |
– |
– |
>1011 |
Avería del aislamiento
Intensidad |
KV/mm |
18 |
semiconductor |
9 |
17,7 |
| Constante dieléctrica (1 megaciclo) |
(e) |
10 |
– |
29 |
7 |
| Disipación dieléctrica |
(tg o) |
0.4*10-3 |
– |
– |
– |
