Oblea del INP (fosfuro de indio)
Proporcionamos la sola oblea cristalina de alta calidad del INP (fosfuro de indio) a la industria microelectrónica (HEMT de HBT/) y optoelectrónica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) en diámetro hasta 3 pulgadas. El cristal del fosfuro de indio (INP) es formado por dos elementos, indios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. La oblea del INP es un material importante del semiconductor que tengan propiedades eléctricas y termales superiores, comparado a la oblea de silicio y la oblea del GaAs, oblea del INP tiene una movilidad de electrón más alta, una frecuencia más alta, el bajo consumo de energía, una conductividad termal más alta y funcionamiento de poco ruido. Podemos proporcionar la oblea lista del INP del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Oblea compuesta de III-V
Proporcionamos una amplia gama de oblea compuesta incluyendo la oblea del GaAs, la oblea de Gap, la oblea de GaSb, la oblea de InAs, y la oblea del INP.
Eléctrico y dopando la especificación
Especificación de producto
| Crecimiento | LEC/VGF |
| Diámetro | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
| Grueso | 350 um ~ 625 um |
| Orientación | <100>/<111>/<110> u otros |
| De la orientación | De 2° a 10° |
| Superficie | Un lado pulió o dos lados pulidos |
| Opciones planas | EJ o SEMI. Estándar. |
| TTV | <= 10 um |
| Arco/deformación | <= 20 um |
| Grado | Epi pulió el grado/el grado mecánico |
| Paquete | Solo envase de la oblea |
