Sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) para hacer LD, LED, circuito de la microonda, célula solar
Proporcionamos la sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) a la industria de la optoelectrónica y de la microelectrónica para hacer el LD, el LED, el circuito de la microonda y usos de la célula solar, en gama del diámetro a partir de la 2" a 4". Ofrecemos la sola oblea cristalina del GaAs producida por dos técnicas principales LEC del crecimiento y método de VGF, permitiendo que proveamos de clientes la opción más amplia del material del GaAs la alta uniformidad de propertirs eléctricos y de la calidad superficial excelente. El arseniuro de galio se puede suministrar como los lingotes y obleas pulidas, conduciendo y la oblea semiaislante del GaAs, el grado mecánico y el grado listo están toda del epi disponibles. Podemos ofrecer la oblea del GaAs con valor bajo de EPD y la alta calidad superficial conveniente para sus usos del MOCVD y del MBE, nos entra en contacto con por favor para más información de producto.
Característica y uso de la oblea del GaAs
| Característica | Campo del uso |
| Alta movilidad de electrón | Diodos electroluminosos |
| De alta frecuencia | Diodos láser |
| Alta eficacia de conversión | Dispositivos fotovoltaicos |
| Bajo consumo de energía | Alto transistor de movilidad de electrón |
| Hueco de banda directo | Transistor bipolar de la heterounión |
Especificación de producto
| Crecimiento | LEC/VGF |
| Diámetro | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
| Grueso | 350 um ~ 625 um |
| Orientación | <100>/<111>/<110> u otros |
| Conductividad | P - tipo/N - tipo/semiaislante |
| Dopante | Zn/Si/sin impurificar |
| Superficie | Un lado pulió o dos lados pulidos |
| Concentración | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| TTV | <= 10 um |
| Arco/deformación | <= 20 um |
| Grado | Epi pulió el grado/el grado mecánico |
