Los materiales de cerámica de alto rendimiento del nitruro de silicio desarrollados para la industria de aluminio han mejorado perceptiblemente propiedades termales y mecánicas que productos similares. Sobre esta base, el “alto “dispositivo de calefacción sumergido en forma de L” de la conductividad termal traerá progreso revolucionario al equipo industrial de aluminio.
El filtro nitruro-alineado silicio promovido por el “silicio polivinílico” soluciona los problemas que han sido trabajadores plagados en la industria de aluminio. La guarnición del nitruro de silicio no se pega al agua de aluminio, así que el filtro casi no necesita ser limpiado, que reduce grandemente la intensidad de trabajo de los trabajadores;
Ventaja:
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Comparado con el filtro material de lanzamiento, la vida de servicio se amplía grandemente.
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El filtro no necesita ser rociado con la capa del anti-palillo, que asegura la pureza del aluminio fundido;
El nitruro de silicio relacionó datos
| Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 |
Físico
Propiedad | Densidad | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
| Absorción de agua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 |
| Temperatura del sínter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 |
Mecánico
Propiedad | Dureza de Rockwell | Alto voltaje | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
| Fuerza de la curva | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 |
| Intensidad de la compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 |
Termal
Propiedad | Funcionamiento máximo
temperatura | °C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
extensión termal
coeficiente
0-1000°C | /°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) |
| Resistencia de choque termal | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 |
| Conductividad termal | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 |
| 300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 |
Eléctrico
Propiedad | Índice de resistencia de volumen | ◎los .cm | | | | |
| 20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 |
| 100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 |
| 300°C | >1012 | – | – | >1011 |
Avería del aislamiento
Intensidad | KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17,7 |
| Constante dieléctrica (1 megaciclo) | (e) | 10 | – | 29 | 7 |
| Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
