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Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

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Number modelo :AUIRG4PH50S
Lugar del origen :Taiwán
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :10000pcs/week
Plazo de expedición :2-3days
Detalles de empaquetado :TUBO 400PCS/BOX
Categoría de producto :Transistores de IGBT
Tecnología :Si
Montaje de estilo :A través del agujero
Configuración :Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo :1,2 kV
Voltaje de saturación del Colector-emisor :1,47 V
Voltaje máximo del emisor de la puerta :- 20 V, + 20 V
Corriente de colector continua en 25 C :141 A
Paladio - disipación de poder :543 W
Temperatura de funcionamiento mínima :- 55C
Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C
Altura :20,7 milímetros
Longitud :15,87 milímetros
Anchura :5,31 milímetros
cantidad de empaquetado de la fábrica :400pcs/box
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Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

 

1.FEATURES

Estándar: Optimizado para la saturación mínima
voltaje y frecuencias de funcionamiento bajas (< 1kHz=""> • El diseño de la generación 4 IGBT proporciona más apretado
distribución del parámetro y una eficacia más alta
• Paquete del estándar industrial TO-247AC
• Sin plomo
• Automotriz calificado *

2.BENEFITS

La eficacia más alta de la oferta de la generación 4 IGBT disponible

IGBT optimizados para las condiciones especificadas del uso

 

Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

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