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circuitos integrados electrónicos

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Fuente de alimentación conmutada

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:Mr段

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China STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación wholesale

STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

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Número de modelo :STP12NM50

Lugar de origen :Marruecos

Cantidad mínima de pedido :10 piezas

Términos de pago :T/T, Unión Occidental

Capacidad de suministro :3000 piezas/semana

El tiempo de entrega :2-3 días

detalles del empaque :1000PCS/TUBO

Tecnología :Si

Estilo de montaje :A través del orificio

Polaridad del transistor :Canal N

número de canales :1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :500 V

Identificación - corriente continua del dren :12 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :350 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :- 30 V, + 30 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :3 voltios

Qg - carga de la puerta :39 nC

Temperatura mínima de funcionamiento :- 65C

Temperatura máxima de funcionamiento :+ 150C

Paladio - disipación de poder :160 W

Modo del canal :Aumento

Configuración :Único

Transconductancia delantera - minuto :5,5 segundos

Altura :9,15 mm

Longitud :10,4 mm

Ancho :4,6 milímetros

Tiempo de subida :10 ns

Tiempo de retraso de abertura típico :20 ns

Cantidad que embala de la fábrica :1000

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STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

1.Características

100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja

2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes características de avalancha.Utilizando la técnica de tira patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.

3.Aplicaciones
Cambio de aplicaciones

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