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circuitos integrados electrónicos

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:Mr段

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China MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC wholesale

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC

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Number modelo :IRF100S201

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :8000PCS/WEEK

Plazo de expedición :2-3days

Detalles de empaquetado :800PCS / CARRETE

Categoría de producto :Mosfet

Polaridad del transistor :Canal N

Número de canales :1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :100 V

Identificación - corriente continua del dren :192A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :4,2 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :2 V

Qg - carga de la puerta :170 nC

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 175 C

Paladio - disipación de poder :441W

Altura :2,3 milímetros

Longitud :6,5 milímetros

Anchura :6,22 milímetros

Transconductancia delantera - minuto :278 S

Tiempo de caída :100 ns

Tiempo de subida :97 ns

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado :110 ns

Tiempo de retraso de abertura típico :17 ns

Cantidad del paquete de la fábrica :800

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MOSFET original del MOSFET de IRF100S201 el 100%, 100V, mOhm 192A 4,2, 170 nC Qg

1. uso

Usos cepillados de la impulsión del motor
Usos de la impulsión del motor de BLDC
Circuitos con pilas
Topologías del semipuente y del lleno-puente
Usos síncronos del rectificador
Fuentes de alimentación resonantes del modo
Anillo o e interruptores redundantes
Convertidores de DC/DC y de AC/DC
Inversores de DC/AC

2. Ventajas

Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dV/dt
Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
Sin plomo, RoHS obediente, Halógeno-libre

MOSFET del poder 3.HEXFET®

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