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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:Mr段

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China Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF wholesale

Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF

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Number modelo :BF999 E6327

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :12000PCS/WEEK

Plazo de expedición :2-3days

Detalles de empaquetado :3000PCS/REEL

Polaridad del transistor :Canal N

Tecnología :Si

Identificación - corriente continua del dren :30 A

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :20 V

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Altura :1 milímetro

Longitud :2,9 milímetros

ANCHURA :1,3 milímetros

Paladio - disipación de poder :200mW

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :6,5 V

Cantidad del paquete de la fábrica :3000

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Triodo del MOSFET del canal N del silicio de los transistores del MOSFET del FB 999 E6327 RF

triodo del MOSFET del canal N 1.Silicon

Para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos preferiblemente en los usos de FM
• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)

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Servicio post-venta excelente