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MT41K512M16HA-125: Una memoria de acceso aleatorio dinámica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:Mr段
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MT41K512M16HA-125: Una memoria de acceso aleatorio dinámica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

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Número de modelo :MT41K512M16HA-125: A
Lugar del origen :HONG KONG
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :60000PCS/WEEK
Plazo de expedición :2-3days
Detalles de empaquetado :2000PCS/package
Tipo de producto :Memoria de acceso aleatorio dinámica
Tipo :SDRAM-DDR3L
Estilo de la instalación :SMD/SMT
Paquete/caja :FBGA-96
Anchura del ómnibus de datos :pedazo 16
Organización :512 M x 16
Memoria :8 Gbit
Fuente de alimentación voltaje-máxima :1,45 V
Voltaje-mínimo de la fuente :1,283 V
Actual-máximo de la fuente :88 mA
Paquete :BANDEJA
Cantidad que embala de la fábrica :170
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La descripción funcional DDR3 SDRAM utiliza una arquitectura doble de la tarifa de datos para alcanzar la operación de alta velocidad. La arquitectura doble de la tarifa de datos es una arquitectura 8n-prefetch con un interfaz diseñado para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pernos de la entrada-salida. Una sola lectura o escribir la operación para el DDR3 SDRAM consiste en con eficacia un solo 8n-bit-wide, transferencia de datos del four-clockcycle en la base interna de la COPITA y ocho la correspondencia n-pedazo-ancha, transferencias de datos del una mitad-reloj-ciclo en los pernos de la entrada-salida. El estroboscópico diferenciado de los datos (DQS, DQS#) se transmite externamente, junto con datos, para el uso en recogida de datos en el receptor de la entrada de DDR3 SDRAM. DQS centro-se alinea con los datos para WRITEs. Los datos leídos son transmitidos por el DDR3 SDRAM y borde-alinearon con los estroboscópicos de los datos. El DDR3 SDRAM actúa desde un reloj diferenciado (las CK y CK#). La travesía de las CK que pasa a ALTO y de CK# que pasa a BAJO se refiere como el borde positivo de las CK. El control, el comando, y las señales de la dirección se registran en cada borde positivo de las CK. Los datos entrados se registran en el primer borde de levantamiento de DQS después de ESCRIBEN el preámbulo, y los datos de salida se refieren en el primer borde de levantamiento de DQS después del preámbulo LEÍDO. Explosión-se orienta la lectura y escribir accesos al DDR3 SDRAM. Los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan para un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro del ACTIVAN el comando, que después es seguido por una LECTURA o ESCRIBE comando. Los pedazos de la dirección registraron coincidente con ACTIVAN comando se utilizan para seleccionar el banco y la fila que se alcanzarán. Los pedazos de la dirección registraron coincidente con la LECTURA o ESCRIBEN comandos se utilizan para seleccionar el banco y la ubicación de la columna que comenzaba para el acceso estallado. El dispositivo utiliza una LECTURA y ESCRIBE BL8 y BC4. Una función auto de la precarga se puede permitir proporcionar una precarga uno mismo-sincronizada de la fila que se inicie en el final del acceso estallado. Como con RDA estándar SDRAM, haber canalizado, arquitectura del multibank de DDR3 SDRAM permite la operación concurrente, de tal modo proporcionando alto ancho de banda por precarga de la fila y tiempo de ocultación de la activación. Un uno mismo restaura modo se proporciona, junto con un poder-ahorro, modo del poder-abajo. La temperatura industrial el dispositivo industrial de la temperatura (las TIC) requiere que la temperatura de caso no excederse – las especificaciones de 40°C o de 95°C. JEDEC requieren la frecuencia de actualización doblar cuando el TC excede 85°C; esto también requiere el uso del uno mismo de alta temperatura restaurar la opción. Además, la resistencia de ODT y la impedancia de la entrada-salida deben ser reducidas la capacidad normal cuando el TC es < 0="">las notas generales 95°C. • La función y las especificaciones de la sincronización discutidas en esta hoja de datos están para el DLL permiten el modo de operación (operación normal). • En esta hoja de datos, las diversos figuras y texto refieren a DQs como “DQ.” DQ debe ser interpretado como cualquiera y todo el DQ colectivamente, a menos que esté indicado específicamente de otra manera. • Los términos “DQS” y “CK” encontraron en esta hoja de datos deben ser interpretados como DQS, DQS# y CK, CK# respectivamente, a menos que estuvieron indicados específicamente de otra manera

MT41K512M16HA-125: Una memoria de acceso aleatorio dinámica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

Q1. ¿Cuál es sus términos de embalar?

: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones.

Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro negocio relación a largo plazo y buena?

Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente pues nuestro amigo y nosotros sinceramente hacer negocio y hacer a amigos con ellos, él no es algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

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