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8 interfaz electrónico mordido NAND Flash Memory de la entrada-salida de los circuitos integrados ×8 del ECC del GB 1

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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8 interfaz electrónico mordido NAND Flash Memory de la entrada-salida de los circuitos integrados ×8 del ECC del GB 1

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Brand Name :Cypress
Model Number :S34ML08G101TFI000
Certification :ROHS
Place of Origin :THAILAND
MOQ :960PCS
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T
Supply Ability :9600PCS/1WEEK
Delivery Time :1WEEK
Packaging Details :960PCS/BOX
No. of Pins :48
Package Carrier :TRAY
Density (Gbit) :8
D/C :19+
SPQ :960PCS
Interface :ONFI 1.0
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8 GB, 1 ECC del pedazo, ×8 entrada-salida, 3 V VCC, memoria Flash del NAND para Embedded

 

Descripción general
El Cypress S34ML08G1 8-Gb NAND se ofrece en 3,3 interfaz de la entrada-salida de VCCwith x8. Este documento contiene la información para
S34ML08G1 el dispositivo, que es una pila del dual-dado de dos S34ML04G1 muere. Para las especificaciones detalladas, refiera por favor a discreto mueren
ficha técnica: S34ML04G1.
Características distintivas
densidad del 
– 8 GB (4 GB de  2)
arquitectura del  (para cada dispositivo de 4 GB)
– Anchura del autobús de la entrada-salida: 8 pedazos
– Tamaño de página: (2048 + 64) bytes; 64 bytes son área de repuesto
– Tamaño de bloque: 64 páginas o (128k + 4k) bytes
– Tamaño plano
– 2048 bloques por los bytes de Planeor (los 256M los + 8M)
– Tamaño del dispositivo
– 2 aviones por el dispositivo o 512 MBYTE
interfaz del flash del  NAND
– Interfaz abierto (ONFI) 1,0 del flash del NAND obediente
– Dirección, datos y comandos multiplexados
voltaje de fuente del 
– Dispositivo de 3,3 V: Vcc = 2,7 V ~ 3,6 V
seguridad del 
– Una área programable de (OTP) del tiempo
– Programa/borrado del hardware inhabilitado durante la transición del poder
características adicionales del 
– Comandos del programa y del borrado de Multiplane de las ayudas
– Programa de la parte posterior de la copia de las ayudas
– Programa de la parte posterior de la copia de Multiplane de las ayudas
– Las ayudas leyeron el escondrijo
firma electrónica del 
– Identificación del fabricante: 01h
temperatura de funcionamiento del 
– Industrial: °C del  40 al °C 85
– Automotriz: °C del  40 al °C 105
Funcionamiento
página del  leída/programa
– De acceso aleatorio: 25 µs (máximos)
– De acceso secuencial: 25 ns (minuto)
– Tiempo del programa/tiempo de MultiplaneProgram: 200 µs (tipo)
borrado del bloque del /borrado de Multiplane (S34ML04G1)
– Tiempo del borrado del bloque: ms 3,5 (tipo)
confiabilidad del 
– 100.000 programas/el borrado completa un ciclo (el tipo)
(con 1 pedazo/ECC de 512 + 16 bytes)
– Retención de 10 datos del año (tipo)
– Los bloques cero y uno son válidos y serán validfor por lo menos
programa-erasecycles 1000 con el ECC
opciones del paquete del 
– Halógeno sin plomo y bajo
–  del  20 de 48-Pin TSOP 12 1,2 milímetros
– 63-Ball BGA 9 *11*1mm

 

Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?

A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?

Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

8 interfaz electrónico mordido NAND Flash Memory de la entrada-salida de los circuitos integrados ×8 del ECC del GB 1

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