Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

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NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor de efecto de campo 30V 8.2A Impresión de pantalla de canal N 4C10

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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrGuo.
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NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor de efecto de campo 30V 8.2A Impresión de pantalla de canal N 4C10

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Número de modelo :NTTFS4C10NTAG
lugar de origen :originales
Descripción :Tipo de montaje de superficie, -
Temperatura de funcionamiento :-55 C ~ + 150 C, estándar
Serie :Se aplicará el procedimiento siguiente:
El tipo :Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico, MOSFET
D/C :23+, 23+
Tipo de paquete :Montura de la superficie
Aplicación :El conductor de MOSFET, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor :otras
Referencias cruzadas :-
Medios disponibles :Fotografía
Corriente - colector (Ic) (máximo) :-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :30 V
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :2.2V @ 250A
Corriente - límite del colector (máximo) :Estándar
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :Estándar
Potencia - máximo :790mW(Ta),23.6W(Tc)
Frecuencia - Transición :Estándar
Tipo de montaje :Tipo de montaje de la superficie
Envase / estuche :WDFN-8
Resistencia - Base (R1) :Estándar
Resistencia - Base del emisor (R2) :Estándar
Tipo de FET :Estándar
Característica del FET :Estándar
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :Estándar
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :Estándar
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :Estándar
Vgs(th) (máximo) @ Id :Estándar
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :Estándar
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Estándar
Frecuencia :Estándar
Clasificación de corriente (amperios) :Estándar
Figura del ruido :Estándar
Potencia - Producción :Estándar
Voltado nominal :Estándar
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :Estándar
Vgs (máximo) :Estándar
Tipo de IGBT :Estándar
Configuración :Estándar
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :Estándar
Ingreso :Estándar
El termistor NTC :Estándar
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :Estándar
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :Estándar
Dren actual (identificación) - máxima :Estándar
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :Estándar
Resistencia - RDS (encendido) :Estándar
Voltado - Salida :Estándar
Voltaje - compensación (Vt) :Estándar
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :Estándar
Actual - valle (iv) :Estándar
Actual - pico :Estándar
Tipo de transistor :el número de unidades de producción de la planta de producción de la planta
Nombre del producto :NTTFS4C10NTAG
Original de :Marca original
Detalis :Póngase en contacto con nosotros.
Envío por :DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Pago :Paypal y Western Union
Condición :Nuevo y Original
Garantización :365 días de garantía
Calidad :Original de alta calidad
Válvula de tensión :Estándar
Aplicaciones :MOSFET
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Descripción del producto
Tipo de producto:
Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico MOSFET
Número del modelo:
Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.
La serie:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Vendedor:
Está encendido
Embalaje:
Se aplicará el código WDFN-8
Instale el estilo:
Tipo de montaje de superficie
 
Nuevo y original
Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.Se aplicará el código WDFN-8 Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico MOSFETes uno de nuestros chips IC más vendidos
Persona de contacto:
El Sr. Guo
 
El teléfono:
+86 13434437778
 
El correo electrónico:
¿Cómo se llama?
 
En Wechat:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1 del presente artículo,
 
Embalaje y entrega
Cantidad ((piezas)
1 a 100
100 a 1000
Entre 1000 y 10000
Tiempo de ejecución (días)
3 y 5
5 a 8.
Para ser negociado
NTTFS4C10NTAG WDFN-8 Transistor de efecto de campo 30V 8.2A Impresión de pantalla de canal N 4C10
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Perfil de la empresa
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Preguntas frecuentes
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