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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A

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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A wholesale
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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A
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Número de modelo :SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)
lugar de origen :originales
Descripción :MOSFETs, -
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C, -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie :El Sr.
El tipo :MOSFET, transistores
D/C :23+, 23+
Tipo de paquete :Montura de la superficie
Aplicación :Objeto general, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor :otras
Referencias cruzadas :-
Medios disponibles :Fotografía
Corriente - colector (Ic) (máximo) :-
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :-
Corriente - límite del colector (máximo) :-
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :-
Potencia - máximo :5W ((Ta),34.7W ((Tc)
Frecuencia - Transición :-
Tipo de montaje :Soporte superficial, soporte superficial
Envase / estuche :QFN8
Resistencia - Base (R1) :-
Resistencia - Base del emisor (R2) :-
Tipo de FET :N-canal
Característica del FET :-
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :-
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :20.5 A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :6.6 m @ 20A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id :2.5V a 250A
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :48 nC @ 10 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :1785 pF @ 20 V
Frecuencia :-
Clasificación de corriente (amperios) :-
Figura del ruido :-
Potencia - Producción :-
Voltado nominal :-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :-
Vgs (máximo) :± 20 V
Tipo de IGBT :FET, MOSFET
Configuración :Fase única
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :-
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :1785 pF @ 20 V
Ingreso :-
El termistor NTC :-
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :40 V
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :-
Dren actual (identificación) - máxima :-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :-
Resistencia - RDS (encendido) :-
Voltado - Salida :-
Voltaje - compensación (Vt) :-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :-
Actual - valle (iv) :-
Actual - pico :-
Tipo de transistor :MOSFET
Nombre del producto :SIR422DP-T1-GE3 (en inglés)
Original de :Marca original
Detalis :Póngase en contacto con nosotros.
Envío por :DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Pago :Paypal y Western Union
Condición :Nuevo y Original
Garantización :365 días de garantía
Calidad :Original de alta calidad
Válvula de tensión :-
Aplicaciones :Estándar
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Descripción del producto
Tipo de producto:
Transistor de efecto de campo único MOSFET
Número de modelo:
SIR422DP-T1-GE3
Serie:
SIR
Proveedor:
VISHAY
Embalaje:
QFN8
Instalar el estilo:
Montaje en superficie
Nuevo y original
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 Transistor de efecto de campo único MOSFET es uno de nuestros chips IC más vendidos
Persona de contacto:
Sr.Guo
Tel:
+86 13434437778
Correo electrónico:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
Embalaje y entrega
Cantidad (piezas)
1-100
100-1000
1000-10000
Plazo de entrega (días)
3-5
5-8
A negociar
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A
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Perfil de la empresa
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