Chip CI de los circuitos integrados del MOSFET del canal N del componente electrónico de IRF3710PBF 1

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Number modelo :IRF3710PBF

Lugar del origen :Fabricante original

Cantidad de orden mínima :Cantidad de orden mínima: 100 PCS

Condiciones de pago :T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente :10Kpcs

Plazo de expedición :Dentro de 3days

Detalles de empaquetado :Empaquetado estándar

Tipo :Componente electrónico

Número de parte :IRF3710PBF

Puerto :Shenzhen u Hong-Kong

plazo de ejecución :días 1-3working

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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS A ESTRENAR Y ORIGINALES DEL COMPONENTE ELECTRÓNICO DE IRF3710PBF SALTAN IC

Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	A través del agujero
Paquete/caso:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	100 V
Identificación - corriente continua del dren:	57 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	23 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	4 V
Qg - carga de la puerta:	86,7 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Paladio - disipación de poder:	200 W
Modo del canal:	Aumento
Empaquetado:
Marca:
Configuración:	Solo
Altura:	15,65 milímetros
Longitud:	10 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Anchura:	4,4 milímetros
Parte # alias:	IRF3710PBF SP001551058
Peso de unidad:	0,068784 onzas

Microprocesador del circuito integrado