SOLO TRANSISTOR de PODER DE ALTO VOLTAJE del MOSFET SIHB22N60E - PAQUETE D2PAK de E3 600V 21A
| Tipo del FET: |
Canal N |
Temperatura de funcionamiento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquete: |
TO263-3 D2PAK |
| Alta luz: |
transistor del mosfet del canal N, transistor del canal N
|
Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet SIHB22N60E - paquete D2PAK de E3 600V 21A
SOLOS MOSFETS DEL CANAL N DE MSL 1
Especificaciones técnicas del producto
| Fabricante |
Vishay Siliconix |
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| Serie |
- |
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| Empaquetado |
Tubo |
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| Situación de la parte |
Activo |
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| Tipo del FET |
Canal N |
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| Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
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| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
600V |
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| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
21A (Tc) |
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| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
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| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
180 mOhm @ 11A, 10V |
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| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
4V @ 250µA |
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| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs |
86nC @ 10V |
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| Vgs (máximo) |
±30V |
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| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds |
1920pF @ 100V |
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| Característica del FET |
- |
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| Disipación de poder (máxima) |
227W (Tc) |
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| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Montaje del tipo |
Soporte superficial |
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| Paquete del dispositivo del proveedor |
D2PAK |
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| Paquete/caso |
TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
| OPA2107AU/2K5 |
TI |
PTH05050WAZ |
TI |
| THCV231-3L/CD |
TI |
TMS320DM8168CCYG2 |
TI |
| THC63LVD1024-1LTN |
TI |
PTH08T231WAD |
TI |
| TMS320F28035PNT |
TI |
TPS65920A2ZCHR |
TI |
| INA126PA |
TI |
LMH0344SQ/NOPB |
TI |
| TPS73533DRBR |
TI |
AD5412AREZ-REEL7 |
TI |
| TPS54319RTER |
TI |
ADS1241E/1K |
TI |
| IC12715001 |
TI |
TL16C552AFNR |
TI |
| THCV235-TB |
TI |
PGA204AU/1K |
TI |
| THCV236-ZY |
TI |
ADS8505IDWR |
TI |
| ADS8326IDGKR |
TI |
TMS320LF2407APGEA |
TI |
| ADS7816U/2K5 |
TI |
AM3703CUSD100 |
TI |
| DAC7558IRHBR |
TI |
TMS320DM8148CCYEA0 |
TI |
| ADSP-21489KSWZ-4B |
TI |
LMZ23610TZE/NOPB |
TI |
| TPS75801KTTR |
TI |
TPS2115ADRBR |
TI |
