Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

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canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

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Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

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Number modelo :IRFB38N20DPBF
Lugar del origen :Fabricante original
Cantidad de orden mínima :Cantidad de orden mínima: 10 PCS
Condiciones de pago :T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer
Capacidad de la fuente :1000
Plazo de expedición :Dentro de 3days
Detalles de empaquetado :Empaquetado estándar
Fabricante Part Number :IRFB38N20DPBF
Tipo :circuito integrado
DC :Lastest nuevo
Plazo de ejecución :días 1-3working
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MOSFET del CANAL N SMPS del TRANSISTOR de PODER del MOSFET de 200V 43A 3.8W 300W IRFB38N20DPBF

 

Tipo del FET: Canal N Drene al voltaje de la fuente: 200V
Actual - dren continuo: 43A Voltaje de la impulsión: 10V
Alta luz:

transistores del mosfet del poder más elevado

,

transistor del mosfet del canal N

 

 

Canal N 200V 43A 3.8W 300W de IRFB38N20DPBF a través del MOSFET del agujero TO-220AB SMPS

Usos
l convertidores de alta frecuencia de DC-DC
l TO-220 está disponible en PbF como sin plomo
Ventajas
l carga baja del Puerta-a-dren a reducir el cambiar de pérdidas
l caracterizó completamente capacitancia incluyendo COSS eficaz para simplificar diseño, (SeeApp. Nota AN1001)
l caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha

 

Tipo del FET Canal N  
Tecnología MOSFET (óxido de metal)  
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 200V  
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 43A (Tc)  
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 54 mOhm @ 26A, 10V  
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA  
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 91nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±20V  
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2900pF @ 25V  
Característica del FET -  
Disipación de poder (máxima) 3.8W (TA), 300W (Tc)  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C

 

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