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MC34182D - EN el semiconductor - energía baja, alta tarifa de ciénaga, ancho de banda amplio, JFET entró los amplificadores operativos
Alta luz: |
circuito llevado poder del conductor,conductor llevado ic de la matriz |
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Detalle rápido:
La energía baja, alta tarifa de ciénaga, ancho de banda amplio, JFET entró los amplificadores operativos
Descripción:
La fabricación bipolar de la calidad con conceptos de diseño innovadores se emplea para el MC33181/2/4, serie MC34181/2/4 de amplificadores operativos monolíticos. Esta serie de la entrada de JFET de amplificadores operativos actúa en el µA 210 por el amplificador y ofrece 4,0 megaciclos de la tarifa del producto del ancho de banda del aumento y de ciénaga de 10 V/µs. El hacer juego de la precisión y una técnica innovadora del ajuste de las versiones solas y duales proporcionan voltajes bajos de la compensación de la entrada. Con una etapa de la entrada de JFET, esta serie exhibe alta resistencia de entrada, la entrada baja compensó voltaje y alta ganancia. Toda la etapa de la salida de NPN, caracterizada por ninguna distorsión de la cruce del deadband y oscilación grande del voltaje de salida, proporciona alta capacidad de impulsión de la capacitancia, los márgenes excelentes de la fase y de aumento, impedancia de salida de alta frecuencia baja del lazo abierto y fuente/respuesta de frecuencia simétricas de la CA del fregadero.
Los MC33181/2/4, serie MC34181/2/4 de dispositivos se especifican sobre las gamas de temperaturas comerciales o industriales/de vehículos. Las series completas de solo, duales y los amplificadores operativos del patio están disponibles en la INMERSIÓN plástica así como los paquetes del soporte de la superficie de SOIC.
Usos:
• Corriente baja de la fuente: µA 210 (por el amplificador)
• Rango de operación ancho de la fuente: ±1.5 V a ±18 V
• Ancho de banda amplio: 4,0 megaciclos
• Alta tarifa de ciénaga: 10 V/µs
• El punto bajo entró voltaje compensado: 2,0 milivoltio
• Oscilación grande del voltaje de salida: – 14 V a +14 V (con las fuentes de ±15 V)
• Capacidad de impulsión grande de la capacitancia: 0 PF a 500 PF
• Distorsión armónica total baja: 0,04%
• Margen de fase excelente: 67°
• Margen de aumento excelente: DB 6,7
• Protección del cortocircuito de la salida
• Ofrecido en nuevo paquete de TSSOP incluyendo los paquetes estándar de SOIC y de la INMERSIÓN
Especificaciones:
número de parte. | MC34182D |
Fabricante | EN el semiconductor |
capacidad de la fuente | 10000 |
datecode | 10+ |
paquete | SMD |
observación |
acción nueva y original |