AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NI componentes de IC de memoria Flash

AT45DB641E-SHN2 B-T Adesto Technologies NI componentes de IC de memoria Flash

Memoria Flash IC 64Mb (256 páginas) de los bytes x 32K SPI de AT45DB641E-SHN2B-T IC 85 megaciclos 8-SOIC

64-Mbit DataFlash (con 2-Mbits adicional), memoria Flash serial mínima de 1.7V SPI

FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN DE AT45DB641E-MHN2B-T IC

NI flash 64 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, DFN 5x6 (cinta y carrete), solo SPI DataFlash

Descripción de AT45DB641E:

El AT45DB641E es un mínimo 1.7V, memoria Flash de acceso secuencial del serial-interfaz adecuada idealmente para una amplia variedad de voz digital, una imagen, un código de programa, y usos del almacenamiento de datos. El AT45DB641E también apoya la interfaz en serie de los rápidos para los usos que requieren la operación muy de alta velocidad. Sus 69.206.016 pedazos de la memoria se organizan como 32.768 páginas de 256 bytes o de 264 bytes cada uno. Además de memoria principal, el AT45DB641E también contiene dos almacenadores intermediarios de SRAM de 256/264 de los bytes cada uno. La interpolación entre ambos almacenadores intermediarios puede aumentar dramáticamente la capacidad de un sistema de escribir una secuencia de datos continua. Además, los almacenadores intermediarios de SRAM se pueden utilizar como memoria adicional del cojín de rasguño del sistema, y la emulación de E2PROM (alterabilidad del pedazo o del byte) se puede manejar fácilmente con tres autónomos que el paso lectura-modificar-escribe la operación. A diferencia de memorias Flash convencionales que estén alcanzadas aleatoriamente con líneas con varias direcciones y una interfaz paralela, el DataFlash® utiliza una interfaz en serie para tener acceso secuencialmente a sus datos. El de acceso secuencial simple reduce dramáticamente cuenta de perno activa, facilita la disposición simplificada del hardware, aumenta confiabilidad de sistema, minimiza ruido que cambia, y reduce tamaño del paquete. El dispositivo se optimiza para el uso en muchos usos comerciales e industriales donde de alta densidad, cuenta del bajo-perno, de baja tensión, y de baja potencia sea esencial. Para permitir re-programabilidad simple del en-sistema, el AT45DB641E no requiere los altos voltajes de entrada para programar. El dispositivo actúa desde un solo 1.7V a la fuente de alimentación 3.6V para el borrado y el programa y leyó operaciones. El AT45DB641E se permite a través del perno de Chip Select (CS) y está alcanzado vía un interfaz de 3 alambres que consiste en la entrada serial (SI), la salida serial (TAN), y el reloj serial

Características:

Solo 1.7V - fuente 3.6V

El  compatible periférico serial del interfaz (SPI) apoya los modos 0 y 3 de SPI

Operación de RapidS™ de las ayudas

Capacidad leída continua con arsenal entero

Hasta la opción leída de baja potencia del  85MHz hasta 15MHz

tiempo de la Reloj-a-salida (TV) del máximo 8ns

Tamaño de página configurable del usuario

256 bytes por la página

264 bytes por la página (defecto)

El tamaño de página puede ser fábrica preconfigurada para 256 bytes

Dos completamente - almacenadores intermediarios de datos de SRAM de la independiente (256/264 de los bytes)

Allows que recibe datos mientras que reprograma el arsenal de memoria principal

Opciones programadas flexibles

Byte/programa de la página (1 a 256/264 de los bytes) directamente en de memoria principal

El almacenador intermediario escribe | Almacenador intermediario al programa de memoria principal de la página

Borrado flexible de la página del  de las opciones del borrado (256/264 de los bytes)

 Chip Erase (64-Mbits) del borrado del sector del  del borrado del bloque (2KB) (256KB)

El programa y el borrado suspenden/curriculum vitae

Características de protección de datos avanzadas del soporte físico y del software

Lockdown individual del sector del sector del  individual de la protección para hacer cualquier sector permanentemente inalterable

128-byte, registro programable de una sola vez de la seguridad (OTP)

fábrica de 64 bytes programada con un identificador único

el soporte físico y el software programables del  del usuario de 64 bytes controlaron opciones del reset

La identificación estándar del fabricante y del dispositivo de JEDEC leyó

Disipación de baja potencia

corriente Ultra-profunda del poder-Abajo 400nA (típica)

corriente profunda del poder-Abajo 5µA (típica)

actuales espera 25µA (típico)

7mA activo leyó actual (típico)

Resistencia: 100.000 ciclos del programa/del borrado por mínimo de la página

Retención de los datos: 20 años

Cumple con la gama de temperaturas industrial completa

Opciones de empaquetado del verde (Pb/Halide-free/RoHS obediente)

 8-pad DFN ultrafino (5 x 6 x 0.6m m) de 8-lead SOIC (0,208" de par en par)

8-pad DFN Muy-fino (6 x 8 x 1.0m m)

dBGA 44-ball (6 x arsenal modificado 8 de la bola)

Tecnologías de Adesto NI especificación de IC del circuito integrado de memoria Flash:

Tecnologías similares de IC Adesto del circuito integrado del SEMICONDUCTOR del DIÁLOGO:

AT45DB641E, AT45DB641E-SHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MWHN2B-T, AT45DB641E-UUN2B-T, AT45DB641E-SHN-B, AT45DB641E-SHN-T, AT45DB641E-MHN-Y, AT45DB641E-MHN-T, AT45DB641E-MWHN-Y, AT45DB641E-MWHN-T, AT45DB641E-UUN-T, AT45DB641E-DWF, EN 45DB641E-SHN2B-B

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