FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET del poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Su disipación de poder máxima es 300000 mW.
Para asegurar piezas no son dañados por el empaquetado a granel, este producto viene en el tubo que empaqueta para añadir un poco más
protección almacenando las piezas flojas en un tubo externo.
Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -40 a 175 °C.
Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
Especificación:
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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Serie
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TEMPFET®
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Paquete
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Situación de la parte
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Temperatura que detecta el diodo
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Clasificaciones ambientales y de la exportación
| CUALIDAD |
DESCRIPCIÓN |
| Situación de RoHS |
ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE |
ALCANCE inafectado |
| ECCN |
EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095
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| Número de parte |
BTS282Z E3230 |
| Número de parte bajo |
BTS282Z |
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
