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El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3 actúa en modo del aumento
La disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay es 33000 mW. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
Este transistor del MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima del °C -55 y un máximo de 150 °C.
Si usted necesita tampoco amplificar o cambiar entre las señales en su diseño, después el MOSFET del poder del SIHF10N40D-E3 de Vishay está para usted.
UE RoHS | Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
Situación de la parte | Activo |
HTS | 8541.29.00.95 |
Automotriz | No |
PPAP | No |
Categoría de producto | MOSFET del poder |
Configuración | Solo |
Modo del canal | Aumento |
Tipo de canal | N |
Número de elementos por microprocesador | 1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 400 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±30 |
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 5 |
Dren continuo máximo (a) actual | 10 |
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
IDSS máximo (UA) | 1 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 600@10V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 15@10V |
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 15 |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 526@100V |
Disipación de poder máxima (mW) | 33000 |
Tiempo de caída típico (ns) | 14 |
Tiempo de subida típico (ns) | 18 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 18 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 12 |
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
Paquete del proveedor | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Nombre del paquete estándar | TO-220 |
Montaje | A través del agujero |
Altura del paquete | 16,12 (máximo) |
Longitud del paquete | 10,63 (máximo) |
Anchura del paquete | 4,83 (máximo) |
El PWB cambió | 3 |
Etiqueta | Etiqueta |
Forma de la ventaja | A través del agujero |
Número de parte | SIHF10N40D-E3 |
Número de parte bajo | SIHF10N40 |
UE RoHS | Obediente con la exención |
ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
Situación de la parte | Activo |
HTS | 8541.29.00.95 |
Número de parte | MFG | Tipo de Packge |
JW1060 | JuWell | SOP8-E |
SL1053 | SILAN | SOP8 |
ST8550D | ST | TO-92 |
SS8050DBU | ST | TO-92 |
PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
PC123F | SOSTENIDO | DIP-4 |
OB2353 | OB | SOP-8 |
NE555P | ST | DIP-8 |
MC34063 | EN | SOP-8 |
LM7806 | ST | TO-220 |
LM78051A | ST | COMPENSACIÓN |
LM358 | ST | SOP-8 |
LM339 | ST | COMPENSACIÓN |
LM324 | ST | SO-14 (SMD) |
LM2575T | ST | TO-220 |
LM 7815 | ST | TO-220 |
LL4148-GS08 | ST | LL34 |
L7812CV | ST | TO-220 |
KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
IRFP460 | IR | TO-247 |
IRF840 | IR | TO-220 |
HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
IRFR9024N | IR | TO-252N |
BAV99 | Philip | SOT-23 |
BA033ST | ROHM | SOT252 |
AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
93LC66B | MICROCHIP | DIP-8 |
93LC46 | MICROCHIP | DIP-8 |
93C46B | MICROCHIP | SOP-8 |
78L05 | ST | TO-92 |
78L05 | ST | SOT89 |
74HC4066D | Philip | SMD |
74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
74HC164 | Philip | COMPENSACIÓN |
24LC128 | MICROCHIP | DIP-8 |
24LC08B | MICROCHIP | DIP-8 |
1N5822-B | diodos inc. | DO-201AD |
MC1413DR2G | EN el semiconductor | SOP-16 |
HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |