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Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:hongkong
País/Región:china
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Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N

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Number modelo :SIHF10N40D-E3
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :500000PCS
Plazo de expedición :2-15days
Detalles de empaquetado :paquete estándar
Detalles :Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Tipo :Transistores - MOSFET del poder
Familia :Productos semiconductores discretos-Rectificador
Categoría :componentes electrónicos
Número de parte bajo :SIHF10N40
Modo del canal :Aumento
Paquete :TO220
Montaje del tipo :A través del agujero
Las existencias :En stock
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El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3 actúa en modo del aumento

La disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay es 33000 mW. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.

Este transistor del MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima del °C -55 y un máximo de 150 °C.

Si usted necesita tampoco amplificar o cambiar entre las señales en su diseño, después el MOSFET del poder del SIHF10N40D-E3 de Vishay está para usted.

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 400
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±30
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 5
Dren continuo máximo (a) actual 10
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 600@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 15@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 15
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 526@100V
Disipación de poder máxima (mW) 33000
Tiempo de caída típico (ns) 14
Tiempo de subida típico (ns) 18
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 18
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 12
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Paquete del proveedor TO-220FP
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar TO-220
Montaje A través del agujero
Altura del paquete 16,12 (máximo)
Longitud del paquete 10,63 (máximo)
Anchura del paquete 4,83 (máximo)
El PWB cambió 3
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja A través del agujero
Número de parte SIHF10N40D-E3
Número de parte bajo SIHF10N40
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95

Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N

Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N






Más número de parte para el semiconductor general:

Número de parte MFG Tipo de Packge
JW1060 JuWell SOP8-E
SL1053 SILAN SOP8
ST8550D ST TO-92
SS8050DBU ST TO-92
PC847 FAIRCHILD DIP-16
PC817A FAIRCHILD DIP-4
PC123F SOSTENIDO DIP-4
OB2353 OB SOP-8
NE555P ST DIP-8
MC34063 EN SOP-8
LM7806 ST TO-220
LM78051A ST COMPENSACIÓN
LM358 ST SOP-8
LM339 ST COMPENSACIÓN
LM324 ST SO-14 (SMD)
LM2575T ST TO-220
LM 7815 ST TO-220
LL4148-GS08 ST LL34
L7812CV ST TO-220
KA78M09 FAIRCHILD TO-252
IRFZ44V2A IR TO-220
IRFP460 IR TO-247
IRF840 IR TO-220
HEF4013 PHILIPS SOP-14
FQPF12N60C FAIRCHILD TO-220F
DTC143ZUAT106 ROHM SOT-323
DINS4 SHINDENGEN DIP-2
IRFR9024N IR TO-252N
BAV99 Philip SOT-23
BA033ST ROHM SOT252
AM5888SL/F AMTEL HSOP-28
93LC66B MICROCHIP DIP-8
93LC46 MICROCHIP DIP-8
93C46B MICROCHIP SOP-8
78L05 ST TO-92
78L05 ST SOT89
74HC4066D Philip SMD
74HC4066 PHILIPS SO-14
74HC164 Philip COMPENSACIÓN
24LC128 MICROCHIP DIP-8
24LC08B MICROCHIP DIP-8
1N5822-B diodos inc. DO-201AD
MC1413DR2G EN el semiconductor SOP-16
HEF4069 Philip SO-14 (MOTOROLA)
Carro de la investigación 0