El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3 actúa en modo del aumento
La disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay es 33000 mW. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
Este transistor del MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima del °C -55 y un máximo de 150 °C.
Si usted necesita tampoco amplificar o cambiar entre las señales en su diseño, después el MOSFET del poder del SIHF10N40D-E3 de Vishay está para usted.
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS |
Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
MOSFET del poder |
| Configuración |
Solo |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
400 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±30 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
5 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
10 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
| IDSS máximo (UA) |
1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
600@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
15@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta |
15 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
526@100V |
| Disipación de poder máxima (mW) |
33000 |
| Tiempo de caída típico (ns) |
14 |
| Tiempo de subida típico (ns) |
18 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
18 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
12 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Paquete del proveedor |
TO-220FP |
| Pin Count |
3 |
| Nombre del paquete estándar |
TO-220 |
| Montaje |
A través del agujero |
| Altura del paquete |
16,12 (máximo) |
| Longitud del paquete |
10,63 (máximo) |
| Anchura del paquete |
4,83 (máximo) |
| El PWB cambió |
3 |
| Etiqueta |
Etiqueta |
| Forma de la ventaja |
A través del agujero |
| Número de parte |
SIHF10N40D-E3 |
| Número de parte bajo |
SIHF10N40 |
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
Más número de parte para el semiconductor general:
| Número de parte |
MFG |
Tipo de Packge |
| JW1060 |
JuWell |
SOP8-E |
| SL1053 |
SILAN |
SOP8 |
| ST8550D |
ST |
TO-92 |
| SS8050DBU |
ST |
TO-92 |
| PC847 |
FAIRCHILD |
DIP-16 |
| PC817A |
FAIRCHILD |
DIP-4 |
| PC123F |
SOSTENIDO |
DIP-4 |
| OB2353 |
OB |
SOP-8 |
| NE555P |
ST |
DIP-8 |
| MC34063 |
EN |
SOP-8 |
| LM7806 |
ST |
TO-220 |
| LM78051A |
ST |
COMPENSACIÓN |
| LM358 |
ST |
SOP-8 |
| LM339 |
ST |
COMPENSACIÓN |
| LM324 |
ST |
SO-14 (SMD) |
| LM2575T |
ST |
TO-220 |
| LM 7815 |
ST |
TO-220 |
| LL4148-GS08 |
ST |
LL34 |
| L7812CV |
ST |
TO-220 |
| KA78M09 |
FAIRCHILD |
TO-252 |
| IRFZ44V2A |
IR |
TO-220 |
| IRFP460 |
IR |
TO-247 |
| IRF840 |
IR |
TO-220 |
| HEF4013 |
PHILIPS |
SOP-14 |
| FQPF12N60C |
FAIRCHILD |
TO-220F |
| DTC143ZUAT106 |
ROHM |
SOT-323 |
| DINS4 |
SHINDENGEN |
DIP-2 |
| IRFR9024N |
IR |
TO-252N |
| BAV99 |
Philip |
SOT-23 |
| BA033ST |
ROHM |
SOT252 |
| AM5888SL/F |
AMTEL |
HSOP-28 |
| 93LC66B |
MICROCHIP |
DIP-8 |
| 93LC46 |
MICROCHIP |
DIP-8 |
| 93C46B |
MICROCHIP |
SOP-8 |
| 78L05 |
ST |
TO-92 |
| 78L05 |
ST |
SOT89 |
| 74HC4066D |
Philip |
SMD |
| 74HC4066 |
PHILIPS |
SO-14 |
| 74HC164 |
Philip |
COMPENSACIÓN |
| 24LC128 |
MICROCHIP |
DIP-8 |
| 24LC08B |
MICROCHIP |
DIP-8 |
| 1N5822-B |
diodos inc. |
DO-201AD |
| MC1413DR2G |
EN el semiconductor |
SOP-16 |
| HEF4069 |
Philip |
SO-14 (MOTOROLA) |
