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Angel Technology Electronics Co

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Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:hongkong

País/Región:china

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MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

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Number modelo :BSC010NE2LSI

Lugar del origen :Malasia

Cantidad de orden mínima :1pieces

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :5000pcs

Plazo de expedición :5 días laborables

Detalles de empaquetado :Carrete

Uso :Cargador integrado Placa base Notebook DC-DC VRD/VRM LED Control de motor

Detalles :BSC010NE2LSI OptiMOS MOSFET de potencia de canal N de 25 V

Nombre de productos :Circuitos integrados (IC)

Categoría :componentes electrónicos

Familia de IC :Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individuales

El otro nombre :BSC010

Paquete :TDSON8

Situación sin plomo :RoHS obediente, PB libre, sin plomo

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MOSFET del poder del canal N de BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para el control de motor a bordo del cuaderno DC-DC VRD/VRM LED de Mainboard del cargador

Usos:

Cargador a bordo
Mainboard
Cuaderno
DC-DC
VRD/VRM
LED
Control de motor

Con la familia de producto de OptiMOS™ 25V, Infineon fija nuevos estándares en densidad de poder y rendimiento energético para los MOSFETs discretos del poder

y sistema en paquete. Carga ultrabaja de la puerta y de la salida, así como la resistencia más baja del en-estado en pequeños paquetes de la huella,

tome OptiMOS™ 25V la mejor decisión para los requisitos exigentes de las soluciones del regulador de voltaje en servidores, datacom y usos de las telecomunicaciones. Disponible en la configuración del halfbridge (etapa 5x6 del poder).

Ventajas:

Ahorre los costes de sistema total reduciendo el número de fases en convertidores polifásicos
Reduzca los apagones y aumente la eficacia para todas las condiciones de carga
Ahorre el espacio con los paquetes más pequeños como CanPAK™, S3O8 o sistema en la solución del paquete
Minimice la EMI en el sistema que hace redes externas del tambor de frenaje obsoletos y los productos fáciles a diseño-en.

Especificaciones:

Categoría	Productos de semiconductor discretos
	Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Paquete	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	90A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	7mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 75µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4000 PF @ 50 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete/caso	8-PowerTDFN
Número bajo del producto	BSC070

Parametrics	BSC070N10NS3G
CISS	3000 PF
Coss	520 PF
Identificación (@25°C) máximo	90 A
IDpuls máximo	360 A
Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo	-55 °C del °C 150
Ptot máximo	114 W
Paquete	SuperSO8 5x6
Polaridad	N
QG (tipo @10V)	42 nC
RDS (encendido) (@10V) máximo	mΩ 7
Rth	1,1 K/W
VDS máximo	100 V
Minuto de VGS (th) máximo	2,7 V 2 V 3,5 V

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