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Circuitos integrados IC de DRV5032FBDBZR DRV5032 para el interruptor magnético del sensor

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Circuitos integrados IC de DRV5032FBDBZR DRV5032 para el interruptor magnético del sensor

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Number modelo :DRV5032FBDBZR/DRV5032FBDBZT
Lugar del origen :Malasia
Cantidad de orden mínima :1pieces
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :5000pcs
Plazo de expedición :5 días laborables
Detalles de empaquetado :Carrete
Nombre de productos :Circuitos integrados (IC)
Categoría :componentes electrónicos
Familia de IC :Interruptores magnéticos de los sensores IC (de estado sólido)
el otro nombre :DRV5032FBDBZT TLWW
Paquete :SOT23-3
Descripción :Interruptor Hall Effect de vaivén SOT-23-3 de Omnipolar del interruptor de IC Digital
Topología :Dólar
Detalles :Digital-interruptor Hall Effect Sensor del Ultra-Bajo-poder DRV5032
Situación sin plomo :RoHS obediente, PB libre, sin plomo
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DRV5032FBDBZR DRV5032 Texas Instruments Magnetic Sensor cambia los circuitos integrados IC DRV5032FBDBZT TLWW

 

Circuitos integrados IC de DRV5032FBDBZR Texas Instruments Magnetic Sensors Switches

 

Especificaciones: Digital-interruptor Hall Effect Sensor IC del Ultra-Bajo-poder DRV5032

Categoría
Sensores, transductores IC
 
Sensores magnéticos - interruptores (de estado sólido)
Mfr
Texas Instruments
Serie
Circuitos integrados IC
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte
Activo
Función
Interruptor de Omnipolar
Tecnología
Hall Effect
Polarización
Polo Norte, South Pole
Detección de la gama
viaje de ±4.8mT, lanzamiento de ±0.5mT
Condición de prueba
25°C
Voltaje - fuente
1.65V ~ 5.5V
Actual - fuente (máxima)
1.8µA
Actual - salida (máxima)
5mA
Tipo de la salida
De vaivén
Features#
- DRV5032FBDBZR
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número bajo del producto
DRV5032

 

Descripción:

La descripción el dispositivo DRV5032 es un sensor de effecto hall del digitalswitch del ultra-bajo-poder, diseñado para los sistemas más compactos y batería-más sensibles. El dispositivo se ofrece en umbrales, tasas de muestreo, conductores de la salida, y paquetes magnéticos múltiples para acomodar diversos usos. Cuando la densidad de flujo magnético aplicada excede el umbral del BOP, el dispositivo hace salir una baja tensión. La salida permanece baja hasta la densidad de flujo disminuye menos que BRP, y después la salida conduce un alto voltaje o se convierte en alta impedancia, dependiendo de la versión del dispositivo. Incorporando un oscilador interno, el dispositivo muestrea el campo magnético y pone al día la salida hasta una tasa de 20 herzios, o 5 herzios para el consumo más de poca intensidad. Omnipolar y las respuestas magnéticas unipolares están disponibles. El dispositivo actúa desde una gama VCC de 1,65 V a 5,5 V, y se empaqueta en un SOT-23 estándar, un TO-92 y un pequeño X2SON.

 

Características:

1• consumo de energía ultrabajo Industria-principal – versión 5-Hz: 0,54 µA con 1,8 V – versiones 20-Hz: µA 1,6 con 3 V • 1.65-V a 5.5-V que actúa la gama VCC • Opciones magnéticas del umbral (BOP máximo):- 3,9 mT, la sensibilidad más alta – 4,8 mT, alta sensibilidad – 9,5 mT, sensibilidad media – 63 mT, la sensibilidad más baja • Omnipolar y opciones unipolares • opciones de la tasa de muestreo 20-Hz y 5-Hz • Abierto-dren y opciones de salida de vaivén • Opciones del paquete SOT-23, X2SON y TO-92 • – 40°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +85°C

 

2 usos

• detección de posición Batería-crítica

• Detección del pisón del metro de la electricidad

• Teléfono celular, ordenador portátil, o detección de la caja de la tableta

• E-cerraduras, detectores de humo, dispositivos

• Aparatos médicos, sistemas de IoT

• Detección de la posición de la válvula o del solenoide

• Diagnósticos o activación sin contacto

 

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